我正在阅读《TMS570LS31x 和 TMS570LS21x 基于 HerculesARM
的安全微控制器安全手册》(SPNU511D)。
我无法理解这两种安全机制之间的差异。
"FLA3:闪存包装程序地址 ECC"和"FEE7:闪存包装程序地址 ECC"。
我最想知道的是、当每个安全功能检测到一个错误时、会设置哪个 ESM 标志。
此致。
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我正在阅读《TMS570LS31x 和 TMS570LS21x 基于 HerculesARM
的安全微控制器安全手册》(SPNU511D)。
我无法理解这两种安全机制之间的差异。
"FLA3:闪存包装程序地址 ECC"和"FEE7:闪存包装程序地址 ECC"。
我最想知道的是、当每个安全功能检测到一个错误时、会设置哪个 ESM 标志。
此致。
您好 Arriy、
它们是相同的机制、但用于器件上具有不同用途的不同闪存区域。 您知道、闪存用于程序执行和存储。 FEE 用于闪存仿真 EEPROM、即用作 EEPROM 并用于代替 EEPROM 的数据闪存。 每个 ECC 都具有不同的报告路径、因为它们位于不同的总线上。
对于闪存、是组1、通道6 (可纠正的错误-如果应用需要更正的错误通知、则可能是 FLA1)和组3、通道7 (不可纠正的错误- FLA1和 FLA3)。 此外、组2、通道4 (地址总线奇偶校验错误- FLA4)。
对于 EEPROM 仿真组(FEE)、我们有组1、通道35用于可校正错误、而组1、通道36用于不可校正错误、包括地址 ECC 错误。
你好、Chuck、
感谢你的答复。
我了解了闪存和 FEEPROM 之间的差异。
但是、很抱歉。我对 ESM 错误标志感到困惑。
错误标志很重要、因为我想用 ESM 错误标志来监视错误。
请告诉我以下识别是否正确。如果错误、请予以更正。
< Flash >
- FLA1:组1、通道6 (可纠正错误)、组3、通道7 (不可纠正错误)
- FLA3:组1、通道6 (可纠正的错误)、组3、通道7 (不可纠正的错误)、组2、通道4 (地址总线奇偶校验错误)
- FLA4:组:2通道:10 (B0TCM 地址总线奇偶校验错误)、组:2通道:12 (B1TCM 地址总线奇偶校验错误)
< EEPROM >
- FE1:组:1通道:35 (可纠正错误)、组:1通道:36 (不可纠正错误)
- FEE7:组:1通道:35 (可纠正错误),组:1通道:36 (不可纠正错误)
引述文本内的更正/注释:
[引用 user="Arriy"]
< Flash >
-FLA1:组1、通道6 (可纠正错误)、组3、通道7 (不可纠正错误)正确
- FLA3:组1、通道6 (可纠正的错误)、组3、通道7 (不可纠正的错误)、组2、通道4 (地址总线奇偶校验错误)无组2通道4 -地址奇偶校验错误。
- FLA4:组:2通道:10 (B0TCM 地址总线奇偶校验错误)、组:2通道:12 (B1TCM 地址总线奇偶校验错误) 仅限组2通道4 (FMC -地址总线奇偶校验错误)- BxTCM 错误仅适用于 SRAM。
< EEPROM >
-FE1:组:1通道:35 (可纠正错误),组:1通道:36 (不可纠正错误) 正确
- FEE7:组:1通道:35 (可纠正错误),组:1通道:36 (不可纠正错误) 正确
[/报价]
我在2017年2月2日接受了提问。
我想确认。
下面的答案是“Group 1,Channel 6 (Correctable errors),Group 3,Channel 7 (uncorrectable errors)(组1,通道6 (可纠正的错误)”错误报告,由“FLA3”发送给 ESM?
< Flash >
- FLA3:组1、通道6 (可纠正的错误)、组3、通道7 (不可纠正的错误)、组2、通道4 (地址总线奇偶校验错误)无组2通道4 -地址奇偶校验错误。
此致。