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[参考译文] TM4C123GE6PM：TM4C123 EEPROM 元块

admin
Guru**** 1791630 points
请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/arm-based-microcontrollers-group/arm-based-microcontrollers/f/arm-based-microcontrollers-forum/570152/tm4c123ge6pm-tm4c123-eeprom-meta-block

器件型号：TM4C123GE6PM
主题中讨论的其他器件：TM4C123

您好、香榭丽舍

TM4C123的数据表指出、EEPROM 的耐久性是在包含2个块的元块上测量的。

这是否意味着 EEPROM 块1和2是一个元块、块3和4是第二个元块、等等？

您能否确认块1的读取和写入周期不会影响块3的耐久性？ 至少这是我们的理解方式、但并不完全清楚元块的开始和结束位置

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    TI__Guru**** 1791630 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    你好、Simon

    是的、没错。 但是、从表示角度而言、我们始终将0和1称为第一个块。

    如果 EEPROM 块0和1被编程和读取、那么 EEPROM 块2的耐久性不受影响。 但是、由于耐久性取决于数据临时重定位发生的暂存区、因此在 EEPROM 耐久性 EOL 时、如果块2被编程/擦除、那么它将显示与耐久性降低相同的效果。