[参考译文] TM4C1294KCPDT：VREFA+少量大于 VDDA 的后果

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https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/arm-based-microcontrollers-group/arm-based-microcontrollers/f/arm-based-microcontrollers-forum/622406/tm4c1294kcpdt-consequences-of-vrefa-greater-than-vdda-by-small-amount

器件型号：TM4C1294KCPDT

您好！

如果我为 VDDA 使用3.3V (+/- 2%)稳压器、那么使用3.3V (+/- 0.1%) VREFA+会产生任何不利影响吗？在最坏的情况下、VREFA+- VDDA = 3.3 *(1.001 - 0.98)= 69mV 的差异。这是一个很小的差异，但由于 TM4C1294KCPDT 数据表将 VREFA+的标称值和最大值列为 VDDA (第1859页)，我想知道是否会对 ADC 性能产生任何负面影响。

我注意到设计指南(第22页)提到为 VREFA+使用3.0V 基准。不过、我假设较大的 VREFA+更好、因为它可以略微降低传感器和调节电路中噪声和偏移误差的影响。

以下是我考虑做的事：

8 年多前

0 admin 8 年多前

TI__Guru**** 2448780 points

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您可以使用3V (或3V2)基准。完全避免了这一问题。我怀疑基准电压增加10%有显著的优势。

确保 VDDA 被适当滤除、这样开关噪声就不会侵入、这是一个显著的优势。

此外、验证 VREF 的电流要求、它们可能非常高。 A/D 通常具有尖锐的脉冲电流。因此必须特别注意电容器要求。

Robert

0 admin 8 年多前

TI__Guru**** 2448780 points

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这种针对(固有)受损 MCU ADC 的"关心/关注"似乎很好奇。 (可能过早优化、而忽略了通过"专用"专用 ADC 实现的卓越结果。)

此类独立 ADC 的物理位置可能会最大限度地缩短输入信号布线长度、同时避免快速开关信号-这两种信号都证明会降低"严重"模拟测量性能-并且在"混合信号"器件(即任何供应商的 MCU)中存在很多...

0 admin 8 年多前

TI__Guru**** 2448780 points

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同意、如果 Oliver 希望器件具有12位精度、则需要重新读取规格。以及重新读取传感器规格。

Robert

0 admin 8 年多前

TI__Guru**** 2448780 points

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确实是我(始终)的"成熟前优化避让"朋友-确实如此。和(另一个)"很棒的 Robert Point"关于传感器规格。它是"整体"系统精度、而不仅仅是(一个)元素、这证明了它的重要性！

预计此类(早期)优化尝试不会仅以 ADC 结束...

参观"Robert 的书架"-非常说明。

(唇光-应用(偶数)、具有严格的保养(尤其是此类保养)-可能无法克服"正常/习惯"的设备缺陷/缺点...)

基于 Arm 的微控制器（参考译文帖）

基于 Arm 的微控制器（参考译文帖）(Read Only)

[参考译文] TM4C1294KCPDT：VREFA+少量大于 VDDA 的后果