[参考译文] TM4C1294NCPDT：内部时钟源的结构

我可以提供一些明智的猜测、但这还不多。

明显有一个用于较高频率的 PLL (我认为可以从内部振荡器馈送、但您必须检查是否担心)

晶体和 MEMS 在很大程度上被内部时钟的低精度所排除。

这会产生来自嵌入式电路组件的板载振荡器、这些振荡器通常使用嵌入式 RC 计时。 由于这些参数很难准确生成、因此与机械 MEMS 和石英晶体替代产品相比、您的器件精度会降低。

Robert

TI 希望能以肯定的方式进入其中。 他们可能会深入了解其他潜在问题领域、例如案例、甚至可能是金属化。

您好、Mat、

有2个内置的振荡器(PIOSC、LFIOSC)，一个可能不会指定任一个上使用的晶体，而是指定一个陶瓷谐振器，用于16MHz PIOSC 和 LFIOSC 陶瓷电容器和电阻器(RC)时间常数。 PIOSC 可以驱动 PLL、而 LFIOSC 不能。 LFIOSC 频率的额定频率为33kHz、最小值为10kHz、最大值为90kHz。

在木星周围的环中，在水下或外太空中的极端大气压力？ 人们可能会认为这款 MCU 是一种赌博。 在这两种环境中使用的典型 MCU 可能表明可以容忍这种压力、需要经过军事认证、甚至获得 NASA 认证。

[引用 user="BP101"]陶瓷谐振器在比受 RC 时间常数控制的基本 OSC 更宽的温度范围内是否能保持精度？[/quot]

是的、但这需要多个器件封装、这会显著增加成本。

您应该已经注意到、数据表规格不如谐振器预期的好(在整个温度范围内为+/-10%)。

Robert

[引用 user="Robert Adsett"]是的，但这需要一个多部件封装，这会大大增加成本。

您确定他们目前无法将陶瓷谐振器直接集成到芯片中吗？

曾经 只是认为  "精度"一词的使用 描述了一个振荡器 、它在  它的心脏上受 XTAL 或陶瓷谐振器的控制、而不是一个 RC 时间常数。

即使使用 1%陶瓷电容、 也 能在   特定温度下通过重校准保持4.5%@16MHz (工厂校准)、甚至保持1%的频率。  似乎、如果软件不断更新相对于 MCU 温度变化的工厂校准、1%可以在整个范围内无限期保持。

[引用 user="BP101"]

Robert Adsett

是的、但这需要多个器件封装、这会显著增加成本。

[/报价]

非常确定。 这将是另一套处理技术、我认为点火陶瓷的温度可能与维持 Pn 结不相容。 此外、采用谐振器将几乎消除对晶体的需求、这也是需要关注的问题。 我没有见过任何制造商提到过这种情况。

我看到的所有片上精密 MCU 振荡器都是基于 RC 的、尽管精密度很高、但没有一个振荡器能够很好地用于 UART。 虽然可能对 LIN 来说足够好。

[引用 user="BP101"]人们 只是认为  "精度 "一词的用法是指一个由   其核心的 XTAL 或陶瓷谐振器控制的振荡器、而不是 RC 时间常数。

阅读数据表会使您对这一概念感到不满。

Robert

[引用 user="Robert Adsett"]我认为，点火陶瓷的温度可能与维持 Pn 接合不兼容

然而  、在 PIOSC 的 R/C 中似乎应该存在一个陶瓷电容器、 它如何在软件校准精度高达1%之前保持甚至4.5%的精度。  

有带可编程电容器的 IC、 我一直 认为是陶瓷电容器。  它们可能是通过机器人插入 硅芯片中的切口来放置的。  如今、存在机器人外科手术、可以缝 合葡萄的皮肤。

[引用用户="BP101"] 如今，机器人手术可以缝合葡萄的皮肤。

这种情况(可能)证明是真实的、但(仅当)"机器人"接受(受伤)葡萄预先提供的"负担不起/粗心"保险时...

我知道很多应用、这些应用根本不需要高精度的时钟。 这一切都是相对的：大多数 I/O 要么是同步的、要么是极慢的、你需要保证漂移的点是你计划无论如何使用一个外部受控振荡器的点。 实际上、当您查看 LIN 时、协议会经过很长的时间来在传输前同步不稳定时钟的端点。

我现在在三个行业工作：其中两个行业的晶体制造存在较大的问题、其中一个行业的温度非常高、您必须从第1天开始设计振荡器漂移。 因此、作为一个一般概念、我非常接受基于 RC 的振荡器、而倾向于减少组件数量。   

令人烦恼的是、对于我的当前应用、我需要运行以太网端口：它似乎需要一个外部时钟。 这对我来说是一个更大的烦恼、因为我可以保证电路的温度、并且可能已经离开了 RC。 尽管如此、我购买一件涵盖100%需求的硅片的时间点是我失业的时间点...

垫

请允许我(尽管有禁令，特别是由于禁令)注意，***类似于***

值得注意的是、"覆盖通用需求的单片硅(即"厨房洗涤槽")"似乎是 MCU 供应商的"圣灵"、通常证明"严重受损-边界线不可用！"   (请参阅供应商的 EEPROM 实现、勘误表、限制... 需要提供赦免(barf)包(可能)...)

您的"工作状态"似乎(不太可能)会在(近期)的未来耗散...   (无"葡萄"可能无法"提出此类索赔。")

[引用 USER="CB1_MOBIST"]此类(可能)证明是正确的-但(仅限于)当"机器人"接受(受伤)葡萄提前提供的"不可承受/粗心"保险时...[/引述]

帮助我的葡萄已经落下、无法站起来、 因此许多缝 在非常细的皮肤 上的非法阿片类阿片无法再杀死 醒来后留下的疼痛"UCA"。    

[报价用户="BP101"]我的葡萄已经下降，无法上升[/报价]

在某个地方-有(必须) MCU 应用-仅此而已...

不幸的是-公司/I "库存"(MOST)每一个"奶油"-众所周知！   (结果尚未达到规格...尽管"您的"0-2)。 可能会改变)

[引用 user="BP101"]

Robert Adsett

我认为点火陶瓷的温度可能与维持 Pn 结不相容

然而  、在 PIOSC 的 R/C 中似乎应该存在一个陶瓷电容器、 它如何在软件校准精度高达1%之前保持甚至4.5%的精度。  

[/报价]

请注意规范中突出显示的关键字

Robert

正如 CB1所说的那样、这应该是一种类似的方法。

[引用 user="Mathew Maher">我知道很多应用、这些应用根本不需要高精度的时钟。 这一切都是相对的：大多数 I/O 要么是同步的、要么是极慢的、你需要保证漂移的点就是你计划无论如何使用一个外部受控振荡器的点。[/引述]

其中一些是相当大的体积。

[引用 user="Mathew Maher"]实际上、当您查看 LIN 时、协议会经过很长的时间来在传输之前同步不稳定时钟的端点。

是的、LIN 的全部要点是在晶体或谐振器上节省0.10美元。

不过、大多数通信协议至少需要一个谐振器的精度、而许多通信协议需要一个晶体。 一些自计时协议可能会以较低的精度和稳定性而消失、但我已经听说过这些协议。 不过、可能有一些地方使用它们。

[引用 user="Mathew Maher"]我现在从事了三个行业：其中两个行业的晶体制造一般都有较大的问题，其中一个行业的温度非常高，您必须设计自第1天起的振荡器漂移[/引用]

出于好奇、您可能不知道、MEMS 振荡器在这些情况下是否更适合？ 我可以思考他们可能更有弹性的原因、但这是否足够是另一个问题。 最后、我介绍了您甚至可以获得可编程独立 MEMS 振荡器。

[引用 user="Mathew Maher"]这对我来说是一个更大的烦恼、因为我可以保证电路的温度、并且可能已经离开了 RC。 [/报价]

我很不幸使用的产品中有人认为非温度控制器精密微处理器振荡器足以用于 UART 通信。 我们最终拆卸了产品、以弄清我们为什么遇到如此多的问题(这就是其中之一)。

[引用 user="Mathew Maher"]不过，我购买单块芯片的时候，我需要的所有芯片都是我失业的时候...

啊...

有很多理由认为这种情况不会很快发生。

并拖放开发系统以进行重要开发。

Robert

[引用 user="Mathew Maher49">不可以、但如果您与药剂师交谈并描述问题、我确信有一些奶油可供使用...

[引用 user="Robert Adsett"]注意规范中突出显示的关键字[/quot]

那么、您 是否在想用工厂校准淋洗液这个词来形容 RC 中是否有任何陶瓷材料？  对我来说、这意味着具有陶瓷谐振器和精密电阻器的振荡器硅元件。 早在一天(多层)陶瓷电容器 就不存在了、因此 PIOSC 也许 是一 个由  这些材料构成的 RC 谐振器、甚至超过了过去 作为 外部3桥臂器件出售给振荡器电路的材料。

PIOSC 同样可以驱动 PLL、1%的重新校准(可能受限) 、但不 能为 EMAC0计时、但 对于 GPTM 时钟源而言比 PLL 80-120MHz SYSCLK 稳定得多。 没有哪个 模块可以外部计时以 提供 EMAC0时钟、 禁用 MOSC 可以强制 旁路 PLL 模式？  可能 会将 ARM CPU 减慢 至25MHz。 如果没有错误、PIOSC 可以驱动 GPTM 和其他外设。

[引用 user="BP101"]

Robert Adsett

请注意规范中突出显示的关键字

[/报价]

它试图避免什么？

不、我认为这意味着振荡器以一些未命名的方式进行校准。 未经校准的性能会明显变差、否则就没有理由进行校准。

[引用 user="BP101"] PIOSC 同样可以驱动 PLL，并以1%的重新校准率进行[/quot]

在特定温度下运行。 它们没有显示曲线、但我怀疑这意味着振荡器实际上会在整个温度范围内变得更糟。 当然、它们不会提供超过校准温度的格板。

没有理由为 RC 使用陶瓷、也没有理由认为有人这样做了(在本例中我们知道没有这样做)。 陶瓷电容器在电源输入上很有用、在这里、陶瓷电容器可以对去耦产生很大的影响、从而产生噪声、并可能影响工作频率。 但这也涉及空间、因此只能在一小部分情况下使用(尽管如果在内部放置而不是在外部放置、则可能需要更少的电容来产生差异)。

Robert

[引用 user="Robert Adsett"]当然，他们不会提供超过校准温度的格拉纳。[/引用]

嗯、如果  选择了 PIOSC 、它似乎可以在任何时候通过 Tivaware 重新校准、与 MCU 温度的变化相关、可能会受到 B2B 写入或很多 CLK 周期的限制。  然后、这种算法似乎会在 较大的温度范围内保持1%的精度。   在考虑  PIOSC 用于 多个 GPTM 的用途后、我可能会尝试编写此类代码。

[引用用户="Robert Adsett"]没有理由为 RC 使用陶瓷，也没有理由认为有人这样做了[/引用]

对于这种高频、它似乎是最可靠的资源、 下一次猜测可能是某种金属 膜、但不是 Si MOS、因此如果是金属膜 RC、在芯片上/芯片中浸渍陶瓷芯片会有什么问题。 回想一下、金属膜电容器   在4Mhz 以上的高频振荡器中不是很稳定。  

[引用 user="Robert Adsett"]其中陶瓷电容在电源输入上很有用，在这里，陶瓷电容对去耦有很大影响[/引用]

但会增加生产成本 、 去耦电容值对于输入信号的应用非常具体。    

[引用 user="BP101"]因此在芯片上/芯片中浸渍陶瓷芯片有什么问题[/引用]

第一个问题是处理温度、可能还存在化学不兼容问题。

[引用 user="BP101"]

Robert Adsett

陶瓷器件在电源输入上的用途是大不相同的去耦

[/报价]

不是真的。 去耦不依赖于输入信号。 它确实取决于边沿速率、但这与输入信号和时钟频率无关。

这是一个非常有价值的补充、某些高端微处理器会将它们包含在其封装中。

电子工程专辑-亚洲 http://archive.eetasia.com/www.eetasia.com/ART_8800712242_480200_TA_3b9f2117.HTM、无论 您认为 CPU 还是复杂的 PCB 子组装都是一个 POV 问题。 它来自制造商、因此我将其称为 CPU。

Robert

[引用 user="BP101"]

Robert Adsett

没有理由为 RC 使用陶瓷、也没有理由认为有人这样做了

[/报价]

最稳定且最容易获得的频率源是 OCXO (有更稳定的源、但它们开始变得异国情调且昂贵)、其次是晶体、MEMS 振荡器、然后是谐振器。 之后、您可以考虑 RC。

但是、晶体价格低廉、MEMS 在匹配(或接近)晶体规格的同时又赶上成本、同时更易于在电路中使用、有些甚至是可编程的。

Robert

@ Robert、

有裂缝的员工(那些仍然在这里/有些意识(通过"偶尔的水槽"确认))、我喜欢这伟大的绘画。

与我们全新的6 FET (3x 半桥)封装"不太远"、该封装采用类似的技术来接受高电流、同时最大限度地减少(并有效地分散)(易受影响) FET 裸片的热量。

新颖而可靠的"技术"-与"一般论坛问题解决方法"一样、可能证明"非常好"、能够享受(两者)长而扩展/多样化的生活！    (即在多种应用中使用...热量仍然是强大且最持久的敌人！)    感谢您的观看...

[引用 user="Robert Adsett">去耦不取决于输入信号。 它确实取决于边沿速率、但与输入信号和时钟频率无关[/引述]

 有趣的是、您谈论 的是直流电源总线、我更喜欢 将 MCU 外设信号引脚去耦 内部 ESD 保护二极管。   几十年来、英特尔一直在连接到陶瓷基板(PCB)的 BGA 处理器上放置外部去耦电容器。 它们必须   使用非常具体的焊膏在受控温度斜坡曲线中将 BGA 回流到基板。

[报价用户="Robert Adsett"]第一个想到的问题是处理温度[/quot]

如果冷陶瓷芯片只是被接至硅电路中、那么您认为 RC 的 C 部分目前是如何嵌入到 PIOSC 硅 电路 中的呢？

[引用 user="BP101"]

Robert Adsett

去耦不依赖于输入信号。 它确实取决于边沿速率、但这与输入信号和时钟频率无关

[/报价]

这不会称为去耦。 这似乎是您自己独特的术语。

[引用 user="BP101"]如果冷陶瓷芯片只是连接到硅电路中，那么您认为 RC 的 C 部分目前还如何嵌入到 PIOSC 硅 电路 中？

他们的一贯方式。 它们直接在 Si 中形成、使用的过程与晶体管、电阻器和连接所使用的过程相同。 SRAM、DRAM、EPROM、EEPROM 和闪存均取决于器件中形成的电容器。

Robert

注-在标签区域中，被称为“论坛升级”的“逗号”将变为混乱状态。    我(仍然)找不到...

[引用 user="Robert Adsett"]这不会称为去耦[/引用]  除了陶瓷去耦电容器之外、您认为每个引脚上的 ESD 二极管还有什么其他功能。  似乎我不知道(近)二极管这个词、认为您可以从先前的评论中得到观点、但您认为是外部总线电容器 、而我认为是内部 GPIO 引脚。

[引用 user="Robert Adsett"]它们是在 Si 中使用制造晶体管所使用的相同过程直接形成的[/引用]

根据您之前的帖子、陶瓷电容器  作为芯片的一部分会变得很热、您质疑我 的陶瓷电容器是 PIOSC 时钟 RC 的一部分。 不确定  硅和  BTW 陶瓷谐振器中的发射陶瓷的温度 比 XTALS 稳定得多 。  出于    这一确切 原因、通常用于455kHz IF 的 FM 接收器中、 漂移小于 XTAL。

我记得    1985年左右、3个桥臂陶瓷谐振器首次投入市场、但有几种不同的类型、即使一个具有2个桥臂 和一个所有东西的调谐叉、可能比 XTAL 不稳定。   在 XTAL 二进制单元中、仍然有几种类型的浮点。

[引用 user="BP101"]

Robert Adsett

这不会称为去耦

除了  陶瓷去耦电容器之外、您还认为每个引脚上的 ESD 二极管有什么其他作用。[/quot]

片上？

通常没有。 在某些情况下、可能存在并联的电阻器或某种有源钳位。 当然会存在寄生电容。 我没有看到有人在芯片上添加 EMC 滤波器电容器、但 我想可以这样做。

[引用 user="BP101"]不确定  您在硅和  BTW 陶瓷谐振器中所得到的有关激发陶瓷的性能远 高于 XTALS 的温度稳定性 。

BP101 说：

Robert Adsett

它们直接在 Si 中形成、使用用于制造晶体管的相同工艺

[/报价]

没有、我说陶瓷的处理温度可能太热、无法与 IC 化成兼容。 陶瓷在高温下燃烧。 这可能会影响硅中的掺杂物分布。 还有 化学和机械兼容性以及将屏幕打印集成到流程中的问题。   这些器件可以进行安装、但似乎没有人这样做、这表明这并不简单。

[引用用户="BP101"] BTW 陶瓷谐振器 的温度稳定性要比 XTALS 高得多 。

获得参考？ 我不记得看到过、在任何地方和我看到的规格表中、谐振器的温度稳定性大约为0.1%、而对于晶体、温度稳定性大约为20ppm。 手表晶振的性能比标准高频晶振的性能差200ppm 左右。

Robert

Robert Adsett 说：

 这些文件可以卸载，但似乎没有人这样做，这表明这并不简单。

由于 PIOSC 的使用和 RC、金属箔/薄膜电容器 似乎是一个错误的选择 @16MHz、 仍然被称为 一个精密振荡器、因此看起来根本不是这样。 LFOSC 可能 会被 金属箔/薄膜电容器带走。  然而  、机器人 只需几 个 XYZ 坐标 即可将 陶瓷电容器放置 在模板区域、并将其焊接到模板上的接触焊盘上、而不是引脚上。     即使在16倍分光器放大倍数下、人类也似乎很难完成这样的任务、尽管手术机器人的任务很简单。

 BGA 直流总线电容器的问题带来了核心电压要求、似乎使 电容器变得很大、可以放置在 芯片板内。

 [引用 user="Robert Adsett"]我没有看到有人在芯片上添加 EMC 滤波器电容器、但 我认为可以这样做。[/quot]  

我认为、我们都同意 、而且我的理解是、我的理解是、在裸片内部而非外部放置一个陶瓷电容器以进行直流总线去耦。  建议在 MCU 引脚附近尽可能使用陶瓷电容器对几乎所有外部 GPIO 信号进行去耦、这种情况并非总是如此、但通常需要、具体取决于信号用途。  虽然 PWM 驱动信号更常见、但在 远离 MCU 引脚的 HVIC 上进行电容去耦并在 MCU 引脚附近添加下拉电阻器。

在压力下返回 PIOSC 时钟源；它可以 用作 ADC 时钟源、但当 PLL 使用外部振荡器绕过时、它看起来是@1MHz SPS、而不是 MOSC。 虽然 我建议 (外部载波)通常可以屏蔽硅器件免受过大的压力甚至过热的影响、但原始海报似乎对追求 TM4C129x MCU 不再感兴趣。

[引用 user="BP101"]

Robert Adsett

 这些器件可以进行安装、但似乎没有人这样做、这表明这并不简单。

[/报价]

正如我先前所指出的、PIOSC 的存在并不意味着使用陶瓷电容器。

[引用 user="BP101"]

Robert Adsett

我没有看到有人在芯片上添加 EMC 滤波器电容器、但 我想可以这样做。

[/报价]

不。

[引用 USER="BP101"]建议使用陶瓷电容器对几乎所有外部 GPIO 信号进行去耦[/引用]

非序列发生器。 您可以使用自己的术语、但不要指望其他人了解您。

Robert

[引用 USER="Robert Adsett"]正如我先前所说的，PIOSC 的存在并不意味着使用陶瓷电容器。

我相信陶瓷是最合乎逻辑的选择，你也没有建议 哪种类型的陶瓷，也没有继续对候选陶瓷作出折扣。 至少我 建议 其他类型和 怀疑聚酯或 聚脂薄膜适合16MHz 并保持4.5%。 用于 PIOSC 将@1%重新校准到当前 MCU 温度的 BTW、如果  存在32kHz HIB 时钟、则必须根据该时钟进行校准(修整)。 我似乎 甚至找不到 Tivaware calibrate 函数(timer.c)、但似乎必须进行 SYSCTRL 寄存器更新。

[引用 user="Robert Adsett">非序列发生器。 您可以使用自己的术语、但不要指望其他人了解您

这不是我的术语、它 直接来自 几 个 TIDA 项目、    您还漏掉了引述  、其中提到 GPIO 端口末尾的 PWM 驱动 HVIC。 大多数所有 GPIO 端口都连接到一些外部控制、 通常 以 某种方式在控制信号上注入噪声、或者必须通过陶瓷电容器将另一个端口解耦到接地端。  对于那些投资于处理24V 及以上电压驱动逆变器和电源的 TI 资源开发套件的人 、在他们进入 MCU 停止 mayhem 之前、已经完全掌握了 GPIO 引脚的去耦尖峰是如何的。

Mon Ami、

你是否没有投入足够的"时间/精力"来(进一步)打击这匹"已经死"的马？   (PIOSC 的设计实现)

您、原始海报、Robert 和我都不能影响/影响(完全)这一"长期完成"的 PIOSC 设计！   它只是，“就是它的样子。”

(胶厂)所规定的、"清除尸体"是否因您不断尝试"恢复活力"而受到阻碍？   有人认为，进一步抗议可能会迫使尸体被送到"死场 FET"墓地(您的后院)，IIRC……

[引用 user="BP101"]

Robert Adsett

正如我先前所指出的、PIOSC 的存在并不意味着使用陶瓷电容器。

[/报价]

哦、但我确实这样做了、如果您回顾一下、您会发现我说过它们是以与电阻器、晶体管和连接相同的方式构建在 Si 上的。 我甚至计算了使用分立电容器制造 DRAM 的成本估算。

有关更明确的信息、您可以查看 Wiki

https://en.wikipedia.org/wiki/Integrated_circuit

他们关于 DRAM 的文章很好地展示了用于制造 DRAM 电池的电容器晶体管组合(如今使用的结构更复杂)。

https://en.wikipedia.org/wiki/Dynamic_random-access_memory

[引用 user="BP101"]这不是我的术语，它 直接来自 多 个 TIDA 项目[/引用]

我不知道 TIDA 项目是什么、快速搜索结果就是 Tidal 电源项目。 因此、无论这些情况如何、它们都不常见或由另一个名称引用。

Robert

[引用 user="Robert Adsett"]他们在 DRAM 方面的文章很好地展示了电容器晶体管组合[/引用]

这是一个存储单元：堆叠电容器方案中的电容器是在基板表面之上构建的。电容器是由夹在两层多硅板之间的氧化物-氮氧化物(Ono)电介质构成的(顶部板由 IC 中的所有 DRAM 单元共享)， 它的形状可以是矩形、圆柱或其他一些更复杂的形状

这并不意味着 PIO RC 使用相同的过程 、也 不表示 Ono 电介质甚至能够达到的频率。  DRAM 通常  具有较慢的访问速率、 需要刷新周期、等待状态以保持每个电池单元中的空间充电势垒区域充满电或数据丢失。 然而、请注意、Ono 电介质构建在表面之上、 陶瓷芯片同样可以轻松放置在夹在两层多层硅片板之间的焊盘上。 不知道 Ono 电介质工艺 在16MHz 时是否足够稳定、我敢肯定一点也不知道、也许您认为其他类似 Ono 的工艺正在被用来形成高频电容器。

[报价用户="Robert Adsett"]我不知道 TIDA 项目是什么[/报价]

您应该记得、  我最近 发布了16KW IGBT 电机驱动器套件在一条评论中将 TIDA-00195链接到您的位置、 对大多数 MCU GPIO 端口进行去耦。  TIDA-00778提到了 MCU 附近的去耦电容器 、通常在 靠近 芯片电源引脚的位置上称为旁路电容器。  如果您收到通过电子邮件发送的 TI 新闻信函 (TI 个人资料偏好设置)、许多开发套件和不同的项目将处于最重要的状态、通常每周都会发送一次。 本周的最新动态是使用   具有集成栅极驱动器的 GaN FET 实现尺寸最小的直流/直流逆变器(36V-16V)输入降压至12v @6amps 输出。

对 陶瓷电介质的良好阅读不能说我对这种电介质的了解是100%最新的；

BME 镍 电极 和陶瓷(CaZrO3)  电介质  的中心位置为1550 * F，很明显是液体。  PME (Ag/PD)电极似乎也是指 Ono (BNT)类型的电介质、并且 具有 类似 的火灾温度？

但是 、我指 的是 PME/BME 电极之间的金属沉积 物与陶瓷电容器相同、而不是电介质。 尽管 电极+ 电介质 连接方法似乎 产生了 CaZr03 型电介质的稳定性和精度。

也许 TI 可以在数据表中提供更多细节来说明什么 能够为 PIOSC 提供如此高的精度...

"%20size="1" %20face="ArialNarrow">HTTP：/www.kemet.com/Lists/TechnicalArticles/Attachments/40/2013-03 20CARTS%20-%20BME%20Ceramic %20Capacitors%20for %20High-Reliability" 20Applications.pdf%20">"%20size="1" %20face="ArialNarrow"> http://www.kemet.com/Lists/TechnicalArticles/Attachments/40/2013-03%20CARTS%20-%20BME%20Ceramic%20Capacitors%20for%20High-Reliability%20Applications.pdf

[引用 user="BP101"]………可以在数据表中提供更多详细信息，说明什么 可以使 PIOSC 有如此高的精度...[/quot]

"缺乏细节"(并非"更多"细节是夸大其词)-可能是暗示-此类(不受支持)索赔(精确)源于"营销？"   (这种情况确实发生-通过多个供应商...)

而您在使用特定类型的电容器时(仅限)会卡住。 -其他因素：(振荡器电流减小；策略性放置(可能是隔离式/物理防护带/安全)；电压控制更加严格)都可能导致使用此术语。  (精确)   "在领域"，某些(也许有几种)此类技术是供应商的"专有"，因此不打算公开披露。

无论如何(再说一次)"所有的，国王的马手"都不能改变 PIOSC 的建造(现在)！    再说一次-"这就是它的样子..."   (因此、永无止境的持续追求-目标不定...)

如果有人(真的)想要、"判断精度"不会在广泛的范围内提供频率测量(在"温度、电压、产品批次和老化")、并提供(必需的)独立确认？   

"精度"的使用可能"相对"(即比较/对比供应商的内部振荡器性能与"其他"标准！)    这种情况(如果属实)可能会导致您"期望过高"。   (可能已满足和/或已交付...)

"声称的(但没有得到支持的)论坛升级"是否产生了这样的"精确度？"