[参考译文] TM4C1294NCPDT：使用休眠时的 RST 上拉电阻：连接到 VBAT 或 VDD

[引用用户="TM4C129手册"]

当休眠模块唤醒时、微控制器执行正常的上电复位。 。
正常上电复位不会复位休眠模块或防篡改模块、但会复位
微控制器的其余部分。 软件可以检测到上电是由唤醒引起的
休眠：通过检查原始中断状态寄存器(见548页的“中断和状态”)
并通过查找电池供电内存中的状态数据(请参阅“电池供电”
内存”。

[/报价]

Robert

[引用 user="Pawel Hoffmann"]是的、我知道。 但 RST 引脚应在何处上拉？
如果是 VDD、我假设我可以获得另一个复位[/报价]

为什么？

您进行了哪些测试、这将表明这一点？

Robert

[引用 USER="Pawel Hoffmann"]因此我需要明确的声明-最好是来自 TI 人员、它是：VBAT 还是 VDD？

因此-您要求"不明确声明"的"作者"(现在)提供明确性。   (要求外人-成为第二名)

合适的"备用"电源分配器 IC 可"有效地对电源和电池的输出进行二极管或"、以便(仅)这两种器件中的最高电压-电源(易失性存储器)和/或 MCU 复位...   (此类芯片设计人员假定"电源"电压超过电池的电压-此时(电源电压)确实存在。)

我不知道(s-l-o-w) 129系列产品也不感兴趣、但 VDD 是否不可能"驱动(接近)零"(即、如果需要"低功耗"、为什么要保持 VDD？) 当 MCU 处于"断电(即休眠)模式时？

Robert >这是我尚未测试过的。 我不知道如何测试它。 我不是该项目中的软件开发人员。 这是我的结论、因为当我在休眠中将 VDD 设为低电平并且 RST 被拉至 VDD 以用于 uC 时、就像 VDD 变为高电平时的上电复位。

BOO>好的、所以在休眠模式下、我的 VDD 应该是0V (不是)。 VBAT 为3、3V、因此电流会像您说的那样流动。 这会使 VDD 超过0V。 因此、我将上拉电阻更改为 VDD。

CB1_MOBIT>这是我在这个论坛上的第一个问题。 我不想让会员变得更糟或第二好。 只有用户才能观察到其使用情况。 您说您对129不感兴趣... 我想问的是如何在芯片内部实现它、只有 TI 员工才能知道并回答什么。 Bob 所做的那样。 此外、数据表也是具有修订版本的内容。 如果有些事情不清楚(可能对更多的人来说、只有我)、也许可以在下一次修订中更清楚地说明。 我假设这个论坛也能取得这一成果-使文件更好。

感谢您的回答。

我将把上拉电阻更改为 VDD 并进行进一步测量。 由于上拉电阻为100k、因此无法像我所拥有的那样影响休眠电流。 可能还有其他原因。  

更改为100K (远高于"标准值")可能会使 MCU 对"噪声/其他"(即使是轻微的)功率干扰更敏感...  

请允许我注意、"长期标准化技术"(有时在 MCU 实施中受到损害)可能会导致"最佳/最亮！"以外的其他情况(MCU 受到损害)。   通过回顾过去/标准"方法"来实现"重置和/或易失性存储器供电"-在"正常电源"或电池电源下-您可以"超级把握"您的情况...

[引述 USER="Pawel Hoffmann]Robert >我尚未测试过这个。 我不知道如何测试它。 [/报价]

通过实际运行它并查看您是否获得两个不同的复位以及复位频率如何？

[引用 user="Pawel Hoffmann"]我不是该项目的软件开发人员。 [/报价]

只要有人写软件、这是一个简单的测试。[引用 USER="Pawel Hoffmann"]这是我的结论、因为当我在休眠时 VDD 处于低电平并且 RST 被拉至 VDD 以用于 uC 时、它就像在 VDD 变为高电平时上电复位一样。[/quot]

？？？

Robert

[引用 user="Pawel Hoffmann"]。 我有100k 的上拉复位连接到一直有效的电源- VBAT。 它可能应该连接到 VDD？ [/报价]

也许不是很好  、建议通过连接到 VBAT 的100k 上拉 MCU 复位引脚、Robert 间接 (回答)发布了第一条评论、CB1注意到数据表中的(假设)部分不存在。

      当街道电源恢复时、MCU 在从100k 唤醒至 VDD 期间不应复位两次。 似乎 MCU 复位引脚始终会对街道电源的返回或不存在作出反应、并在软件寄存器中报告 导致休眠、POR、BOR 等的情况    当街道电源恢复时、似乎没有办法阻止 MCU 执行 POR、而我们不是以某种方式按住 RESET 引脚？ 请注意 、休眠模块具有16个插槽、32位宽 的 NV 存储器、可供软件 保存其他应用数据、此外还可在 BOR 期间自动保存系统状态信息。  

似乎 应用程序使用    在 BOR 事件发生时保存的系统状态数据备份被 BOR 事件中断的位置。 您必须测试 无缝发生的情况、而不仅仅 是在 BOR 之后启动应用程序。  LED 闪烁速率可能有助于确定 应用 程序是否正在从保存的系统状态数据 (BOR)事件或正常 POR 事件运行。  

您的第一个帖子中使用的语言是否导致了海报"BP"(和其他人)得出这样的结论？

[引用 user="Pawel Hoffmann"]我有12V 电源... 我有100k 的上拉电阻器复位连接到一直有效的电源[/报价]

需要更明确地说明，以防止这种不确定性。    正如"亮点"所揭示的-"复位的关联"(可能)实际上是12V 电源！  

也注意到-您"获得"的帖子-(对我而言)完全不能回答您的特定问题！   (它提出了一个警告、但 没有任何答案！)

如果您使用的是、"我在复位时有100k 的上拉电阻连接到"VBAT"、而不是"电源"、则应该更清楚地说明。

这是我对您的建议。   

您的问题要求方向：VBAT 或 VDD？ 这显然不是由获奖者提供的。  (请注意-不要超过3V3！)   

这一切都做得很好-对(现在或将来)可能在这里降落并受益于您的良好工作的其他人来说、这一点要清晰得多！ (这是此类论坛的中心目的)

如果您(在这里或在其他论坛主题中)报告了您的"新功耗结果"(由您最近连接到重置)、您会对此感兴趣。

我对帮助您的兴趣(实际上)-我(之前)对"专用电源切换 IC "的引用我认为-提供了有关"如何以最佳方式降低(不需要的)功耗..."的最佳见解。 (仅 MCU 方法-由于尺寸/成本限制-请勿(始终)证明最佳...)

Robert 的第一个回答是数据表中有关休眠的引用、但对我来说根本没有提示。 我知道它是 VDD 还是 VBAT 完全无关。 相反、Bob 准确地指出我要解决我的问题。 您为什么会问这么多？ 当我将答案标记为解决问题的答案时、是否有人获得了很多操作系统点？ 我确实认为 Bob 的回答正是我所需要的、这就是我标记它的原因。

关于我的结果和通过 IC 进行外部切换：正确使用此 uC 时、休眠电流非常低-单 uA。 因此、我不会看到任何需要外部电路的情况。 它只是为了正确使用它。 我所做的不正确的是 RST 上拉。 它必须是 VDD。 我将分压器与连接到 ADC 的恒定电源相连。 这是 VDD 泄漏源、使其不为0V、并增加休眠电流。 我的项目中还有串行调试适配器。 如果我让它保持通电并连接到器件(适配器 TX 处于高电平)、它还会向 Tiva RX 引脚注入电流、从而使 VDD 变为非零并增加电流消耗。 所以结论是、此 uC 可以在极低的电流下休眠、但您必须确保休眠期间通电的所有设备都必须与之断开连接。

[引用 user="Pawel Hoffmann"]我确实认为 Bob 的回答正是我所需要的，这就是我标记它的原因。

请相信 您 先前 已澄清有关 SUPPLY=VBAT NOT 12v 的问题、我错过 了该帖子、但在事后看来、看起来更可信的是3V3 LDO 稳压  器消耗的电流不是轨二极管。 在  大多数情况下、B 轨二极管似乎只应具有纳安级的反向电流泄漏、尤其是在 RESET 引脚上反向偏置时。   MicroAmp 泄漏 可能 表明 MCU 2V LDO   通过复位引脚 B+轨二极管不正确地将电流灌入 VBAT 电源 或通过 VBAT 供电的休眠模块。 如果在休眠模式期间保持高电平、RESET 引脚应注意什么？  但是、正如 Robert 指出的、在唤醒事件上停止 POR 事件不起作用。  

[引用 user="Pawel Hoffmann"]您必须确保休眠期间通电的所有内容都必须与之断开连接。

实际上、数据表注释中的所有外部连接都必须断电、但 似乎未断开、这是  3V3 LDO 将其 EN 引脚连接到 MCU HIB 引脚的原因之一。