[参考译文] TMS570LC4357：TMS570LC43x 的 ESM 上的 Cortex-R5内核致命总线错误、导致 nERROR 引脚变为有效

admin

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/arm-based-microcontrollers-group/arm-based-microcontrollers/f/arm-based-microcontrollers-forum/633100/tms570lc4357-cortex-r5-core-fatal-bus-error-on-esm-for-tms570lc43x-causing-nerror-pin-to-become-active

器件型号：TMS570LC4357

您好！

当我的系统启动时、我收到 Cortex-R5内核致命总线错误(数据表中的组2通道3) 、这会导致我的 nERROR 引脚变为活动状态。

当我得到错误时、ESM 寄存器是

STAT2 = 0x00000008

ErrPinStat = 0x00000000

IntOffstHgh = 0x00000024

当我的 TI_FEE 初始化()函数访问 FEE BlockConfiguration[u16LoopIndex].FeeBlockNumber (其中 u16LoopIndex 为5)时、我收到错误。

我还在使用内存浏览器访问 FEE 时收到错误。

因此、访问存储器地址0x00074d80似乎会导致出现错误。

但除此之外、我的应用程序运行正常。但出于安全目的、我需要 nERROR 引脚正常工作、以便实施 TPS65381 nERROR 引脚监控。

我已经尝试过前面几个主题中提到的有关此错误的解决方案、但没有成功。

我将 Code Composer Studio 6.1.2与编译器 TI v16.9.x 结合使用。 LTS

在我的闪存设置中的"Debug"下、"Auto ECC Generation and Align program segments to 64位 memory region"将被选中。我正在使用"verify"进行闪存验证设置。

如果对此有任何帮助、我们将不胜感激！

谢谢、

Swapnil

8 年多前

0 admin 8 年多前

TI__Guru**** 2446140 points

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

通过执行此处所述的过程来解决该问题。

在链接器命令文件中使用 palign 而不是 align。

部分
｛
.intvecs：{}>向量
闪存受保护区域中的/* FreeRTOS 内核*/
.kernelTEXT palign (32):{}>内核
.cinit palign (32)：{}>内核
.pinit palign (32)：{}>内核
/*将其余代码转换为用户模式闪存区域*/
.text palign (32)：{}> FLASH0| FLASH1
.const palign (32)：{}> FLASH0| FLASH1
/*RAM 的受保护寄存器中的 FreeRTOS 内核数据*/
.kernelbss：{}>Kram
.kernelHEAP：{}> RAM
.bss ：{}> RAM
.data ：{}> RAM
sysmem ：{}> RAM
fee_text_section palign (32)：{}> FLASH0 | FLASH1
FEE _ CONST_SECTION palign (32)：｛｝> FLASH0 | FLASH1
fee_data_section：{}> RAM

/*用户代码开始(4)*/
.sysmem：{}>RAM
/*用户代码结束*/
}

0 admin 8 年多前

TI__Guru**** 2446140 points

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

Swapnil：

感谢您发布解决方案。我很高兴您能够利用之前的 E2E 材料得出结论。

基于 Arm 的微控制器（参考译文帖）

基于 Arm 的微控制器（参考译文帖）(Read Only)

[参考译文] TMS570LC4357：TMS570LC43x 的 ESM 上的 Cortex-R5内核致命总线错误、导致 nERROR 引脚变为有效