[参考译文] CCS/TM4C123GH6PM：TM4C123GH6PM

admin

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

器件型号：TM4C123GH6PM

工具/软件：Code Composer Studio

我正试图绕过我的大脑、绕过漏极开路的电压是为什么。我使用的是 GPIO PA7。在 code composer 中、我有以下行：

SysCtlPeripheralEnable (SYSCTL_Periph_GPIOA)；
GPIOPinTypeGPIOOutputOD (GPIO_PORta_base、GPIO_PIN_7)；

我尝试驱动光电隔离器(请参阅图中的电路)。当 GPIO 变为高电平时、它将漏极拉至~1.3V 至1.5V。 D 至 S 电压之间的电压是否应该是如此高？

0 admin 8 年多前

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

您的主题行对您没有帮助。

现在、在本例中

MOSFET 的情况下运行
- ~560欧姆图上的电压为5V ~9mA -> D/S 上的压降为~0
在 MOSFET 关闭的情况下运行
- ~1k 上为5V 加上二极管压降、二极管压降为1V、电流为~3.8mA。而560R 电阻器上的压降为~2V1 -> D/S 上的压降为~2V9

现在、如果正向二极管压降要小得多(您不会通过该二极管驱动很大的电流)、那么看到该压降也不会令人惊讶。

1V3仍然看起来很低、但如果您有任何其他寄生效应、或者该电容器具有任何明显的泄漏、则可以降低电压。尤其是在 OD 模式下检查 GPIO 的特性、因为这是一个多功能引脚、可能不如您所画的那样干净。

这似乎也是一种驱动光耦的奇怪方法。当光耦合器关闭时、您消耗的电流大于在光耦合器开启时消耗的电流、即使在打开时、您的电流也似乎很低。

Robert

侧注：我会像您一样使用 GPIO 直接驱动电流、我会将其移至分立式 MOSFET、以减少微控制器上的污渍、并以更低的价格获得更高的驱动电流和电压。

0 admin 8 年多前

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

[引用 user="Robert Adsett72"]您的主题行对您没有帮助。

好的说了-然而(另一个)论坛(赦免)"声称的升级"的"特性"。

此外、您的"标签"远远优于那些"无灵感、锅炉板、广告车辆"、"所有人都知道"、迫使我们的喉咙痛。

显然、尝试直接使用 MCU 而不是强加低成本 FET 毫无意义。这样一个"FET 控制"设计接受来自(任何) MCU 的驱动、或者一个简单的栅极、因此可以"重复使用"-始终是一个高度重视的"省时省力！"

我将围绕0.20 (USD) FET "节省成本"的"动机"来结束我的头脑... (特别是在尝试证明"不符合标准"之后)

0 admin 8 年多前

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

[引用 user="CB1_MOBIET"]我将以"动机"为中心、以"节省0.20 (USD) FET[/QUERPLET]的成本[/引述]

2N7002 - Vgsth = 2V4最大值、多源、卷带数量为0.02ea。 0.08 ea/C @DigiKey

BSS123 - Vgsth -最大2V、多源、卷带数量为0.04ea。 0.10 eA/C @DigiKey

BSS123以该价格为您提供更高的电压。它们通常仅适用于低于5V 的栅极电压(但确实提供了典型曲线)、但除非您处于限值、否则在给定阈值电压的情况下、您可能有空间。需要在设计时进行检查。

Robert

基于 Arm 的微控制器（参考译文帖）(Read Only)