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[参考译文] TMS570LC4357:在 L2RAMW 中添加了 TMS570LC TRM 文档错误和说明

Guru**** 2443840 points


请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/arm-based-microcontrollers-group/arm-based-microcontrollers/f/arm-based-microcontrollers-forum/630389/tms570lc4357-tms570lc-trm-documentation-errors-and-clarifications-in-l2ramw

器件型号:TMS570LC4357

您好!

在阅读"TMS570LC43x 16/32位 RISC 闪存微控制器技术参考手册"(SPNU563、2014年5月)时、我发现以下错误:

1)寄存器 RAMUERRADDR 在第8章" 2级 RAM (L2RAMW)模块"的3个位置提到、但它不存在。

2)在同一章中、RAMERRSTATUS[DWDE]的描述讨论了单位错误、但它显然应该是双位错误。

现在、L2RAMW 文档中没有明确的内容:

3) 3) RAMCTRL[ECC Detect EN]=5h 是否禁用 ECC 错误检测和 ECC 代码生成? 如果没有、是否有方法禁用 ECC 代码生成? 我的目标是在 RAM 中编写一个错误的 ECC 代码、以便测试 SECDED 机制。

谢谢。

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    您好、Etienne、

    感谢您对 TRM 错误的反馈。 我将把这些问题转交给我们的文件工作人员,以便能够解决这些问题。 另请注意、文档中有一个文档反馈链接、您也可以使用该链接直接向他们提供此反馈。 这两种方式对我来说都是可以的。

    关于第3点。 正确的方法是、ECC 生成未被禁用、因此您不能简单地关闭 ECC、然后创建不匹配。 有一种替代方法允许您以这种方式写入 ECC 存储器并造成损坏。 这需要付出一些努力、因为您必须了解写入的 ECC 代码的影响(即、单位或双位错误类型)。
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    您好!

    您正在讨论启用 RAMCTRL[ECC WR EN]并直接写入 ECC 存储器?

    此外、相对于您的答案、您还能将第3点转发给文档团队、因为它不是在 RAMCTRL[ECC Detect EN]不会禁用 ECC 代码生成的任何位置写入的。 换言之、不能在 ECC 代码生成无法禁用的任何位置写入。

    谢谢。
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    您好、Etienne、

    是的、我建议直接写入 ECC 存储器。

    我将转发内容改进、以添加 ECC 生成仍然会发生的信息、即使 ECC 被禁用也是如此。