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[参考译文] TM4C1294KCPDT:使用 EPI 时外部 SDRAM 的数据损坏

Guru**** 2348630 points
Other Parts Discussed in Thread: TM4C1294KCPDT
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https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/arm-based-microcontrollers-group/arm-based-microcontrollers/f/arm-based-microcontrollers-forum/617621/tm4c1294kcpdt-data-of-external-sdram-is-corrupt-using-epi

器件型号:TM4C1294KCPDT

大家好

我对 TM4C129x 的 EPI 有疑问。

我的客户在 TM4C129x 和 SDRAM 之间建立了连接。
但当℃75 μ s 时、数据会随机损坏。
当℃75 μ s 时、它不是 PROBrem。 我们在 TM4C129x 上使用温度传感器。

我们在 CCS 的存储器浏览器上看到了这种损坏。
损坏的存储器范围为0x68003800~和0x68020000~。

当系统时钟为120MHz 和60MHz 时、我们看到了这个问题。

我已经看到勘误表和数据表。
但我不知道这种决心。

您是否有相同的情况?

你有什么想法吗?

此致
高贵须

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    [报价用户="hiroyasa"]您有什么想法吗?

    虽然(远)与"供应商/工厂状态"不符-我可能有资格在"每个人和想法持有人"的标题下作出回应。

    您的帖子指出、(唯一的)温度测量是通过 MCU 的指定内部结进行的。   三项意见即到:

    • 75°C 的温度是否符合该 MCU 的(工作)温度规格?
    • 仅"MCU 报告的测量"对于(真实)诊断是否足够准确?
    • SDRAM 的工作温度是否符合要求?

    未说明的是 MCU 如何"升至该温度-此类描述将非常有用。    此外、非常需要部署"第二个独立于 MCU 的"温度传感器。

    根据经验- MCU 周围的"环境"温度必须大幅上升至超出"正常、室温"的水平-请确认并注意"测量温度"(再次 通过单独的非 MCU 方法获得)、以进行进一步诊断。

    如果"周围环境"远低于75°C (由 MCU 报告)、则 MCU 似乎"任务太繁重"、并且/或 MCU 的电源不正确。  ("任务过于繁重"意味着 MCU 提供的输出电流超出器件(MCU)的指定能力。)   这会产生额外的热量、并且几乎可以保证会损坏 MCU。

    如果 MCU 符合"运行@ 75°C"的规范、并且未违反任何其他 MCU 规范-通过添加一个特殊的散热器并提高效率、有可能"在该温度下运行"、 "热绝缘材料"-将散热器"粘结"到 MCU、同时有效地将热量传递到散热器...

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    我建议他们仔细验证 TM4C1294KCPDT 和 DRAM 之间的时序。 另请注意、当连接到 SDRAM 时、它们必须使用8mA 驱动。 即使在较低温度下时序超出规格、但在较高温度下失败、SDRAM 也可能看起来工作正常。