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[参考译文] RM48L952：电压、电源、和 RM48片载闪存组擦除自身

admin
Guru**** 2468610 points
Other Parts Discussed in Thread: HALCOGEN

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/arm-based-microcontrollers-group/arm-based-microcontrollers/f/arm-based-microcontrollers-forum/661584/rm48l952-voltage-power-supply-and-rm48-on-chip-flash-banks-erasing-itself

器件型号：RM48L952
主题中讨论的其他器件：HALCOGEN

您好！

 我们使用的是具有 HalCoGen 4.3.0的 Hercules RM48L952ZWT 板。 什么会导致包含数据的片上闪存的部分在 RM48器件上随机擦除？

我在另一个线程上读出 RM48片上闪存对 VDD 上的毛刺很敏感、这会导致与正常运行的所有种类的偏差、包括部分或完全擦除闪存。 如果允许 VDD 缓慢升高或降低、则由于噪声和/或电源斜升速率、不会启用内部检测器、也不会提供外部复位电路。 我读出、在写入闪存存储器时出现欠压情况会损坏闪存内容。 据我了解、RM48中没有内部检测器来监测工作电压与检测电平是否匹配。 此外、不能使用外部低 VCC 复位保护电路。 如果在写入操作进行时发生复位、则在电源电压足够的情况下、写入操作将完成。

如果这是正确的、RM48的电压的精确波动会损坏/擦除闪存组(我知道组7是不同类型的闪存、因为允许的擦除/写入数量比组0和1多)？ 有什么建议吗？ 谢谢你。

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    TI__Guru**** 2468610 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    您好、Tammy、

    MCU 本身在 VCC、VCCIO 和 nPORRST 等上具有毛刺脉冲滤波器 有关滤波器的特性、请参阅数据表。 MCU 具有一个内部电压监控器(VMON)、用于监控 VCC 和 VCCIO。 VMON 不监控 VCCP 和 VCCAD。

    HDK 电路板具有外部电源监控器、用于监控 VCC 和 VCCIO。 如果电源轨低于定义的阈值(10.98V、3V)、则电路板将循环通电(nPORRST)。

    如果在向闪存写入数据时电源电压降至最低电平以下、则闪存操作将损坏、数据可能会丢失。 闪存其他部分中的数据可能不受影响。

    您能给我上面提到的主题的链接吗？ 谢谢
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    TI__Guru**** 2468610 points
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    您好 QJ、
    感谢您、我将向硬件团队转发。 是的、我将再次搜索博客并发送链接。 数据表的链接在哪里可以指明最低级别、以便我也可以将其转发给我们的硬件团队？ 然后我可以向下加载并转发到它们。 再次感谢你。

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    TI__Guru**** 2468610 points
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    您好、Hammy、

    以下是数据表：
    www.ti.com/.../tms570lc4357.pdf

    工作条件：第56页
    VMON：第65页
    VCC、VCCIO 的毛刺脉冲滤波器：第65页
    PORST 和 nRST 的毛刺脉冲滤波器：第89页
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    TI__Guru**** 2468610 points
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    您好 QJ、

    谢谢你。 我已将该文档转发给我们的硬件工程师。 闪存是否唯一可能被擦除、或者数据是否也可能被拆分(因此我们还应该进行 CRC 检查并备份组7数据)？ 再次感谢你。
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    TI__Guru**** 2468610 points
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    您好、Tammy、

    如果芯片在建议的运行条件下运行、闪存不应被随机擦除。
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    TI__Guru**** 2468610 points
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    您好 QJ、

    我们弄清楚了模式。 当我们在电路板上安装了 TI 引导加载程序版本时会发生这种情况、该版本会使次要电路板启动、然后加载软件的其余部分(如果在引导加载程序初始化期间交流电波动、则闪存会被擦除/损坏)。 与无引导加载程序和 HalCogen 相比、TI halcogen 生成的代码交流波动不会擦除闪存。 我可以打开一个新线程、因为它与 TI 引导加载程序初始化与 Halcogen 生成的初始化有关。 再次感谢你。 塔米