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[参考译文] TM4C1292NCPDT:读取闪存中的变量

Guru**** 2350600 points
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/arm-based-microcontrollers-group/arm-based-microcontrollers/f/arm-based-microcontrollers-forum/610372/tm4c1292ncpdt-reading-a-variable-in-flash

器件型号:TM4C1292NCPDT

您好!

我正在处理引导代码。 我必须将一些变量存储在从0x08.0000到0x08.3FFF 的地址中的闪存存储器中。 每次复位后、我必须读取变量并更新变量。 是否有用于这些操作的 API? 如何在我的计划中执行这些操作? 请指导我。

此致

Sandra

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    我们注意到、您对今天的日期的规定(一如既往)仍然很响亮/清晰。 (并与零通信!)
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    喜欢!
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    除了您喜欢的 Robert 之外、还有100多个(待定)。 BTW -日期是什么-任何人(此处)知道? 或者给一个该死的!

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    您好、Sandra、

    我编辑了您帖子的标题、以帮助其他人在搜索时查找此信息。

    我从您的问题中假设您需要读取一些在执行读取的程序范围之外初始化的闪存位置。 也就是说、您没有与该位置关联的符号。 您可以定义符号以指向特定位置、如下所示:

    #define BOOT_STATE *(unsigned int *) 0x80000
    
    my_function (void)
    {
    unsigned int state;
    
    state = boot_State;
    }
    
    

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    您好!

    感谢你的答复。 我必须从我的程序本身写入闪存。 我必须从同一程序读取变量并写入闪存。 如何作为结构体写入闪存?

    此致
    Sandra
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    在这种情况下、我建议您使用 EEPROM。 它使用 TivaWare 中的函数进行写入和读取。
    http://www.ti.com/tool/sw-tm4c
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    [引用 user="Bob Crosby"]在这种情况下,我建议您使用 EEPROM。

    如果 OP 要执行此操作、那么我强烈建议阅读适用于 EEPROM 的勘误表。

    [引用 user="Bob Crosby"]使用 TivaWare 中的函数编写和读取。

    我相信闪存也是如此。 当然、EE 功能更友好。

    在这两种情况下都需要注意的一点是、最大写入时间非常长。

    Robert

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    [引用 user="Robert Adsett72"]在任何一种情况下都需要注意的是,最大写入时间都非常长

    然而-这些"非常长"的写入时间是否可以被定性为(赦免)、"日期?"  (这里是一个反复出现的主题-不是吗?)