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[参考译文] rm57l843:存储器件

Guru**** 2465890 points


请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/arm-based-microcontrollers-group/arm-based-microcontrollers/f/arm-based-microcontrollers-forum/665953/rm57l843-memory-devices

器件型号:RM57L843

你好

我在处理器的三个不同存储体上使用12个 SRAM。 我要计算我需要缓冲器还是不需要缓冲器的电流要求。  一个 CS 可同时启用04 SRAM。

地址总线和控制信号。 对于电流 计算、写入或读取一个组、我应该添加所有其他08 SRAM (其 Cs 为高电平)的输入电容(地址引脚)、还是只考虑其泄漏电流?  我认为泄漏电流非常低、在高速读取或写入时需要考虑输入电容。 如果在 CS 未激活时引脚进入高阻抗状态、这就意味着电流要求。

此致;

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    Raheel、

    所选存储器芯片的地址和数据线路上的负载是多少? 这将确定在 MCU 级别驱动的 IO 消耗的电流。

    关于您的高阻抗问题、您指示哪个器件进入高阻抗模式? SRAM 芯片还是 MCU?
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    谢谢 Chuck

    每个芯片的负载约为6pf、每次选择04个芯片。 数据总线与其他组共享、地址总线通常与其他总线共享。

    当任何特定组的 CS 未激活时、这意味着这些组的负载电容不会累积或将被计数。 非活动 CS 是否意味着仅存在泄漏电流?

    关于高阻抗模式、SRAM 芯片将进入高阻抗状态。

    此致;