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器件型号：TMS570LS3137 大家好、
目前、我的客户正在测试外部 SRAM 的写入/读取访问。 因此、存在以下问题。
使用以下代码进行测试时没有问题。(读取的数据与写入的数据匹配)
对于(i = SRAM_START；i < SRAM_END；i++)
｛
char * addr =( char *) i;
*addr = w_data； /* 1字节写入*/
R_data =*地址； /*读取1字节*/
｝
但是、当我在使用以下代码将存储器初始化为0后执行测试时、有时我无法正常写入。
memset (addr、0x00、SRAM_END -(unsigned long) addr + 1)；
测试在 SRAM 的整个区域写入0x5A。
这是写入成功执行时的波形。
这是无法正确执行写入操作时的波形。
当发生故障时、写入时的数据变为0。
让我知道为什么会发生这种情况？
其他信息：
- 出现问题的地址没有规律性。
- 即使 EMIF 时钟速度变慢(90MHz -> 60MHz)、也会重现问题。
- 此问题随机发生。 有时它很快发生、但有时它不会发生一段时间。
此致、
Sasaki
