[参考译文] TMS570LS1227：SafeTIDiagnostic Library 2.3.1 TMS570LS1227_Noos&&#39；t run

您好 Ben、

我已将您的问题转发给我们的软件专家、您将很快得到回复。 谢谢

您好 Benjamin、

由于 CortexR4随机分支预测逻辑、我已经看到这个问题的原因、我认为取指令是操作码所在的闪存区域、因为 ECC 被启用、并且这些位置没有生成相应的 ECC、所以这在预取中止中结束。  

有两种方法可以解决、

1) 1)请尝试使用链接器命令文件填充整个闪存区域(请参阅以下链接器存储器以供参考)

2) 2)禁用 ECC (不推荐)  

如果您仍然看到问题、请尝试并告知我。

--------  

存储器

｛

  引导程序(X) ：origin=0x00000000 length=0x00000020

  FLASH0 (RX)：origin=0x00000020 length=0x0013FFE0 fill = 0xffffffff

  堆栈 (RW)：origin=0x08000000 length=0x00001800

  RAM (RW)：origin=0x08001800 length=0x0000AB00

  profile (RW)：origin=0x0800C300 length=0x00007D00 //已添加以用于分析目的*/

  日志(RW)：origin=0x08014000 length=0x00002000 ffill=0xDEADBEF/*已添加用于记录目的*/

  FEE (R)：origin=0xF0200000 length=0x00000064 fill=0xDEADBEF/*用于 FEE 测试，仅对示例应用有效*/

｝

您好、Prathap、
客户已尝试此选项、但仍被同一问题阻止。
您可以直接与我分享安全库以及已在电路板中验证的编译器版本和项目配置吗？
期待您的回复、谢谢。

此致
Benjamin

您好 Benjamin、

我使用了 SDL 版本2.3.1中的示例，使用了编译器版本5.0.4，我在 EVM (内部)板上执行了此操作，该板只是一个 Bearb熊 金属硅结账板。

用于调试。 在预取异常矢量处有一个到自身的循环代码、对代码进行编程、运行代码、连接调试器以从 LR 寄存器中找出引发异常的位置。

您好、Prathap、
客户尝试在 TI EVM 板中使用相同的 SDL 2.3.1和编译器版本5.0.4、但仍然无法解决。 您是否可以提供压缩的.zip 文件？

此致
Benjamin

您好 Benjamin、

与2.3.1中提供的文件相比、我没有任何不同的文件。 版本。

我能够重现、当我进行加电/断电时、我可以多次按_expt_vec_abort_pref ()一次。 调试时、LR 显示一些随机值、这变得非常难调试。

我现在正在研究这一问题，目前还不能找到根本原因。
这意味着客户可以使用常规 HALCoGen 启动并在主程序中调用 SafeTI 诊断库 API。

您好、Prathap、
预期您的进一步进展。 当前客户正在使用 HALCoGen、它启用了安全功能；

此致
Benjamin