[参考译文] TMS570LC4357：EMIF 的外部 SDRAM 问题

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请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/arm-based-microcontrollers-group/arm-based-microcontrollers/f/arm-based-microcontrollers-forum/649809/tms570lc4357-external-sdram-issue-with-emif

器件型号：TMS570LC4357
主题中讨论的其他器件：HALCOGEN

我正在使用由 Halcogen 4.07生成的 EMIF 代码来访问 SDRAM。

我使用以下代码写入存储器位置并从存储器位置回读。只需使用下面的代码即可正常工作。我可以读回写入存储器位置的内容。

unsigned short * SDRAM =(unsigned short *) 0x8000000；//请参阅 BLoader 存储器映射以获取 RAM

unsigned short 回读[3]中的地址引用；

*(SDRAM + 0)=(unsigned short) 0xA5A5；
*(SDRAM + 1)=(unsigned short) 0xc5b5；
*(SDRAM + 2)=(unsigned short) 0xc5c5；

*(readback + 0)；*(readback + 0)
readback [1]=*(SDRAM + 1)；
readback [2]=*(SDRAM + 2)；

但是、当我将上述代码更改为下面的代码时、我无法从存储器位置回读。我从存储器位置的回读将为"0xA500"、"0xB500"和"0xC500"。此外、如果我在调试窗口中使用内存浏览器查看内存位置、我只会在这两种情况下看到"0xA500"、"0xB500"和"0xC500"。是否有人知道会发生什么？我的目的是使用循环来填充每个字节并逐一读回它、以确保我可以完全访问 SDRAM。任何帮助都将得到满足！谢谢。

unsigned short * SDRAM =(unsigned short *) 0x8000000；//请参阅 BLoader 存储器映射以获取 RAM

unsigned short readback 中的地址引用[3]；

unsigned short newTempVar；

newTempVar = 0；

*(SDRAM + 0)=(unsigned short) 0xA5A5；
*(SDRAM + 1)=(unsigned short) 5b5；
*(unsigned c5 + 0xb5)

readback [0]=*(SDRAM + 0)；
readback [1]=*(SDRAM + 1)；
readback [2]=*(SDRAM + 2)；

7 年多前

0 admin 7 年多前

TI__Guru**** 2460850 points

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Swapnil、您好！

我已向我们的一位 EMIF 专家进行了沟通、以便他们能够解决您看到的结果。他们应尽快联系。

0 admin 7 年多前

TI__Guru**** 2460850 points

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Swapnil、您好！

代码和项目设置中是否有其他更改？例如、缓存已启用等明天我将做一次测试、然后回来。

0 admin 7 年多前

TI__Guru**** 2460850 points

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您好！

感谢您的回复。所有设置都相同。只需注释掉 newTempVar。我将使用 Hercules 示例中的指南针对我的 SDRAM 进行 EMIF SDRAM 设置、并进行适当的设置。

这是我的 SDRAM 的数据表。 http://www.issi.com/WW/pdf/42-45S16400J.pdf

如果您需要检查、我将使用 IS45S16400J-7BLA2版本(-7)进行计时。

除此之外、我将附加我用于此测试的项目。

e2e.ti.com/.../2705.SDRAM_5F00_20171214.zip

感谢您的回答！

Swapnil

0 admin 7 年多前

TI__Guru**** 2460850 points

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Swapnil、您好！

我对您修改的代码进行了测试、SDRAM 中三个位置的值是正确的。这是我的测试屏幕、测试重复了100次、num_errors 为0。您是否更改了 EMIF 设置？

0 admin 7 年多前

TI__Guru**** 2460850 points

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您好！

我没有更改我的代码。最后、它不起作用。如果我通过三行指向我要写入存储器的内容、这就是我在存储器浏览器上每行之后看到的内容。

在第一行之后、

0x80000000 A500

0x800002 0000

0x800004 0000

在第二行之后、

0x80000000 0000

0x800002 B500

0x800004 0000

在第三行之后、

0x80000000 0000

0x800002 0000

0x80000004 C500

然后、当我执行回读时、它会导致错误。您知道什么会导致这种情况吗？

谢谢

0 admin 7 年多前

TI__Guru**** 2460850 points

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在 TI TMS570LC43x HDK 上使用您的项目再次进行了测试、效果良好。我无法重新产生问题。

在第一个帖子中、您说过您毫无问题地读回该值、并且在更改代码后遇到了问题。 2个项目之间有何差异？

0 admin 7 年多前

TI__Guru**** 2460850 points

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您好！

感谢你的帮助。您是否能够上传用于在 HDK 上进行测试的代码？

两个代码之间的差异只是将0分配给临时变量(在任何地方都不使用)。
但是、即使我们这么做、查看内存位置也始终与我之前的帖子中描述的相同。

在 SDRAM 的数据表中、CAS 延迟= 2时、CLK 频率为133MHz。该频率是否必须与 CPU 的 VLCK3频率相匹配？我们的 VLCK3频率设置为75MHz。这会导致问题吗？

谢谢

0 admin 7 年多前

TI__Guru**** 2460850 points

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Swapnil、您好！

我使用了您发布的项目。
您可以使用 EMIF 的任何有效频率(<100MHz、在数据表中定义)。请探测电路板上的 EMIF 信号。

0 admin 7 年多前

TI__Guru**** 2460850 points

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您好！

感谢您的回复。我们在 HDK 上尝试了该代码、它工作正常。

我们注意到的一件事是、在 HDK 引脚 D10、D11和 D13的原理图上、标记为 ETMDATA[15]/EMIF_nDQM[0]、ETMDATA[14]/EMIF_nDQM[0]和 ETMDATA[12]/EMIF_BA[0]

我们的定制板基于此配置连接到 SDRAM。但根据 TPS570LC43xx 的 TRM 和数据表、它应该是 E10、E11和 E13。它们在 TRM、数据表和 HALCOGen 上被标记为 ETMDATA[15]/EMIF_nDQM[0]、ETMDATA[14]/EMIF_nDQM[0]和 ETMDATA[12]/EMIF_BA[0]。

HDK 电路原理图中是否存在错误？

我将查看中的以下原理图版本