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[参考译文] RM48L952:高温下的 SDRAM 问题

Guru**** 2460180 points
Other Parts Discussed in Thread: HALCOGEN

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/arm-based-microcontrollers-group/arm-based-microcontrollers/f/arm-based-microcontrollers-forum/649428/rm48l952-sdram-problem-at-high-temperature

器件型号:RM48L952
主题中讨论的其他器件:HALCOGEN

您好!

我们目前正在使用 RM48L952ZWT 修订版 D、我们将其与 IS42S16400J-7TLI SDRAM 连接。

下面是 Halcogen 配置:

EMIF_CLK 为110MHz。

以下是生成的代码:

我们正在进行一些温度测试、在达到70°C 后出现问题、因此我必须检查 SDRAM 的 EMIF 配置。

我尝试将刷新周期参数更改为16ms 以进行一些测试、当我生成代码时、它似乎与我在 Halcogen 中有64ms 没有区别。

SDRCR 值始终为31。

我已经在论坛上进行了检查、发现了以下内容:

  

该值似乎是一个错误。

您能确认是这样吗?

在64ms 内、正确的值应为(110*10^6)*(64*10^(-3))/4096 = 1718.15 = 1718

在16ms 内、正确的值应为(110*10^6)*(16*10^(-3))/4096 = 429.69 = 429

如果 SDRCR 写入的值小于32、则寄存器加载(2*T_RFC)+1、这意味着刷新率将为(2*6)+1)*4096*(1/110MHz)= 0.48ms、而不是所需的64ms 或16ms

如果刷新速度快于指定的刷新率、或者 刷新速度过快可能会导致其他问题、这应该是可以的?

我可以更改其他哪些参数来解决该问题?

 

谢谢

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    您好、Bastien、

    我将您的帖子转发给我们的一位 EMIF 专家、以便他们提供与您的问题相关的详细信息。
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    您好、Bastien、

    您提到的 HALCoGen 中 SDRCR 设置的错误已修复。

    在高于85°C (扩展温度范围)的温度下、刷新周期时间可减半至32ms (刷新2倍)、以应对更高的泄漏率。 但我从未尝试过。

    如果您使用2倍的刷新率、刷新开销会翻倍、SDRAM 的性能会变差。
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    您好!

    我们将使用 HALCoGen 04.05.02进行设计。 此版本中的错误已修复? 因为我在刷新率字段中输入的任何值都始终用31填充 SDRCR。

    然后、刷新率远低于所需的64ms (或32ms)。

    感谢您的回答!

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    您好、Bastien、

    在 HALCoGen 4.06和更高版本中对其进行了修复。 请将您的 HALCoGen 更新为最新版本:04.07.00:
    www.ti.com/.../HALCOGEN

    某些 SDRAM 属于汽车级、支持高达105度的扩展温度、刷新率为16ms。