[参考译文] RM57L843：奇数 EMIF 异步时序行为

您好 Brian、

revA 器件存在"异步 EMIF 访问中的额外 WE/OE 脉冲"问题。 勘误表中列出了这一点：

此问题已在 RevB 器件中得到修复。

您好 Brian、

正如我提到过的、EMIF NOE/Nwe 上有一个错误、并且已在 RevB 器件上修复。 这是我在 RevB 器件上的测试结果。 它按预期工作。 我使用设置(7)、选通(63)和保持(7)的最大值。   

在图中、通道1是 CS2、通道2是 NOE、通道3/4：nDQM0/1。  

读取的字节：读取4次

2.半字(16位)读取：读取4次

3.阅读文字：阅读4次

您好 Brian、

在 RevA 器件中、从渐近存储器读取数据或向渐近存储器写入数据时有一个额外的 NOE 或 Nwe 脉冲。  

1.使用 revA 器件将一个32位数据写入16位异步存储器。 插入一个额外的 Nwe 脉冲(第3个脉冲)、nCS 在第3个额外的 Nwe 脉冲时保持低电平。

2.使用 RevB 芯片将32位数据写入16位异步存储器。 第三个 Nwe 脉冲消失、但 nCS 仍需要与修订版 A 中相同的时间。 向异步存储器写入数据所需的时间将比预期的要长。  

感谢您获得此设置、以便您可以进行测试。 尽管总线看起来很简单、但我认为您关于"按预期工作"的说法并不完全准确。 我想您仍然忽略我提出的两点。  

1) 1)通过使总线尽可能慢地运行、您已将读取问题的表现降到最低。 您的缩放级别使得很难准确看到、但它看起来/CS 失效时间(当/CS 变为高电平时、后续读取之间的时间)大约为150 - 200ns。 由于您的总线周期配置为大约800ns (8 + 64 + 8) x 10ns、150ns-200ns 的延迟看起来很小。 如果您回顾一下我的示例、该示例具有更短的设置、选通和保持时间、则相同的延迟比实际读取周期的长度长的两倍多。 我建议您将设置/选通/保持时间更改为最短的值、以突出我所说的问题。

2) 2)您未运行相同的写入测试。  

请注意、总线配置为16位。 将总线设置为8位将使写入问题更加明显。  

泵？