[参考译文] TMS570LS1224：闪存编程失败

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Other Parts Discussed in Thread: TMS570LS0432, TMS570LS1224

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/arm-based-microcontrollers-group/arm-based-microcontrollers/f/arm-based-microcontrollers-forum/641188/tms570ls1224-flash-programming-failure

器件型号：TMS570LS1224
主题中讨论的其他器件：TMS570LS0432、

成功调用 Fapi_initialzeFlashBanks、选择组0并且不保护所有扇区后、我使用 SPNA148的§3.2.2 (高级 F021闪存 API 擦除/程序使用)中描述的编程序列获得闪存编程错误。 fmstat 中的值为0x00001010时，操作失败。

在 TMS570LS1224和 TMS570LS0432上观察到了这一点。

您能否提供可能原因的列表？

谢谢、此致、

Daniel Marmier

7 年多前

0 admin 7 年多前

TI__Guru**** 2460850 points

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Daniel、您好！

如果要擦除或编程 Bank0闪存中的任何扇区、请在 SRAM 中执行与闪存 API 相关的代码。

;将闪存 API 从闪存复制到 SRAM。
；

.def copyAPI 2RAM_
asmfunc

copyAPI 2RAM_

.ref API_load
FLASH_LOAD .word API_LOAD
.ref API_run
FLASH_run .word API_run
.ref API_size
FLASH_SIZE .word API_SIZE

LDR r0、FLASH_LOAD
LDR R1、FLASH_RUN
LDR R2、FLASH_SIZE
添加 R2、R1、R2
COPY_Loop1：
LDR r3、[r0]、#4
结构 R3、[R1]、#4
CMP R1、R2
BLT COPY_LOOP1
BX LR

endasmfunc