[参考译文] CCS/TM4C123GH6PM：如何根据需要对存储器进行分区

[报价用户="Rohan Chahwan"]是否有某种方法可以使用下图所示的空白存储器(闪存262KB 的93%)？

您的帖子显示-但不解释- 32KB 存储器限制描述了 MCU 的 SRAM。   空白存储器是闪存-不能用作与 SRAM 相同的角色。

您会说、"分区"(这是可能的)、但"扩展 SRAM 失败、超出 MCU 列出的(32KB)限制。"   

相反-不会更多地"关注"哪些变量"真正/真正"需要"在 SRAM 中放置"-证明是更好的路径？   为了帮助这种关注-您是否可以重新检查您的标准、"放置和/或声明/定义对象-以便它们(可能)成为 SRAM 驻留对象？"   (例如、如果函数的参数块(变量)不太可能更改、您可以"对其进行硬编码"-并转义由此产生的 SRAM 使用。)

您还可以考虑 MCU 的 EEPROM -但会受到相应的惩罚-勘误手册很多。  (和预测)  外部 EEPROM 更快、更轻松且更可靠。   (因此非常出色！)   这个供应商生产一个相当独特的外部 RAM 器件(fram)-您可以通过搜索来考虑它。    

MCU 的闪存是一种(不太可能)替代方案-可能允许(部分)可变存储-但速度、代码大小和复杂性会受到非常严重的影响。  

远远超过32KB SRAM 的其他 MCU 也可能会" ping 您的雷达"。

感谢 CB1_MOBILE
我正在研究进一步减少变量和存储器使用量。
尽管我想知道是否可以以及如何使用闪存？ 我需要执行一系列添加和乘法并将数据存储在数组中。 我认为如果使用闪存、这不应该成为问题。 我之前曾在 C2000 MCU 上工作过、并且构建了一个 IF 闪存项目(工作正常)。

如何在 TM4C 中刷写存储器而不是 SRAM？

[引用 USER="CB1_MOBILE"]

 这种情况应出现在另一个主题中(在这一个主题标记为"已解决"后) -您不同意吗？

[/报价]

的确是这样

感谢您的澄清

我已经研究了 TM4C123GH6PM 手册和这里的一篇有关使用闪存存储数据和读取的相关文章、其中有一些指针来激励我不要在其中花费时间。 (因为我正在为该项目计时... 无论如何！)

在这里提及这些要点：

1) 1)它会减慢该过程

2) 2)有限的闪存擦除周期。

我通过某种方式设法将 SRAM 使用量降低到44%、在不同的时间将同一阵列用于不同的数据存储。 (尚未测试... 完成后将在此处更新结果！)

因此、我不发布用于闪存存储器读取/写入的新线程

如果读者想了解更多相关信息、我只找到了1篇与此相关的文章。

谢谢:)

我的朋友-您似乎"在火上"(意味着完全专注-并以极快的速度有效前进！) 您的"帮助者"必须站起来、以免火花/飞出的发射器点燃"附近"的火花。

正如之前在这里发布的-现在已得到您的确认-使用 MCU 闪存作为 SRAM 替代产品、"尝试男人的灵魂"(即很少-如果有-推荐！)

如果尚未掌握-请查看您的"映射文件"、该文件应显示您(实际)的 SRAM 使用情况。 我毫不怀疑你报告44%的使用率-然而(有些)似乎是"可疑的"-如此巨大的"储蓄"-如此迅速-在"正常/习惯！"之外转向

[引述 user="CB1_MOBIT">我的朋友-您似乎"火上火"(意思是完全专注-并以极快的速度高效前进！) 您的"帮助者"必须站起来、以免火花/飞出的发射器点燃"附近"的火花。
[/报价]

哈哈：D

[引述]

我毫不怀疑你报告44%的使用率-然而(有些)似乎是"可疑的"-如此巨大的"储蓄"-如此迅速-在"正常/习惯！"之外转向

[/报价]

之前、我为每个后续级(平滑->乘法器->滤波)使用了不同的数组、这些数组消耗了空间。 现在、我将在每个阶段更新虚拟数组、但代价是要增加几个变量(而不是数组)。 帮助我降低了要求。

此致、

[引用用户="Rohan Chahwan"]

我通过某种方式设法将 SRAM 使用量降低到44%、在不同的时间将同一阵列用于不同的数据存储。 (尚未测试... 完成后将在此处更新结果！)

[/报价]

正如我在前面的帖子中提到的、用于更新结果

在这里-

//---include 库

//---variable declarations

extern int sin_tab[198]；//查找正弦波1周期198点
extern float B[257]的表；// FIR fiter 系数；order 256

main (void)
｛
//时钟设置为80MHz
SysCtlClockSet (SYSCTL_SYSDIV_2_5 | SYSCTL_USE_PLL | SYSCTL_XTAL_16MHz | SYSCTL_OSC_MAIN)；

//初始化 ADC、GPIOE、计时器
SysCtlPeripheralEnable (SYSCTL_Periph_GPIOE)；// ADC 输入引脚
SysCtlPeripheralEnable (SYSCTL_Periph_ADC0)；//ADC 外设
SysCtlPeripheralEnable (SYSCTL_Periph_TIMER0)；//Timer0外设

//Initialize the data acquisition array with zeroes (使用零初始化数据采集数组
对于(i=0；i<1500；i++)
｛
Data0[i]=0；
｝
I=0；

//配置 TIMER0
TimerConfigure (TIMER0_BASE、TIMER_CFG_SPLIT_PAIR | TIMER_CFG_A_PERIODICASE)；
TimerLoadSet (TIMER0_BASE、TIMER_A、0x1)；//采样@500kHz
TimerControlTrigger (TIMER0_BASE、TIMER_A、TRUE)；

//配置 ADC0
GPIOPinTypeADC (GPIO_Porte _BASE、GPIO_PIN_3)；//设置通道1的 GPIO_E3
ADCSequenceConfigure (ADC0_BASE、3、ADC_TRIGGER_TIMER、0)；//序列发生器3
ADCSequenceStepConfigure (ADC0_BASE、3、0、ADC_CTL_CH0 | ADC_CTL_IE | ADC_CTL_END)；
ADCSequenceEnable (ADC0_BASE、3)；

while (1)
｛
//while c=1时、ADC 将继续将光电探测器输出存储在中
//Data0[]数组。 ADC 采样频率由定义
//定时器触发和 ADC0IntHandler 处理上述操作。
如果(c==1)
｛
//启用中断
TimerEnable (TIMER0_BASE、TIMER_A)；
ADCIntEnable (ADC0_BASE、3)；
IntEnable (INT_ADC0SS3)；
I=0；
C=2;
｝

//while c=4时、通过9点移动平均滤波器对采集的数据进行平滑处理
如果(c==4)
｛
TimerDisable (TIMER0_BASE、TIMER_A)；
ADCIntDisable (ADC0_BASE、3)；
//IntDisable (INT_ADC0SS3)；

C=5；
//… 负重9点 MA 滤波器… //
for (i=4；i<1497；i++)
｛
Data0[i]=(Data0[I-4]+Data0[I-3]+Data0[I-2]+Data0[i]+Data0[i]+Data0[i+1]+Data0[i+2]+Data0[i+3]+Data0[i+4])/9；
｝
I=0；
C=6；
｝

//while c=6信号被进一步处理、即乘以
//基准正弦波，然后从256阶 FIR 滤波器中滤除
如果(c==6)
｛
//… 乘以参考 sinusoid。fs = 100ksps。。。 //
对于(i=0；i<1500；i++)
｛
//"(((((float)sin tab[(((harm *6*i)+(int)(phase /1.818181818181818181)))%198]-500)*0.002"是正弦
//波形生成、查找表中包含0-1000范围内的198个点
// HARM -控制用户想要选择的谐波
//相位-以度数控制相位延迟(具有198个点、用户可以跳过1.818181步长)
MULT[i]= Data0[i]*(((float) sin_tab[(harm *6*i)+(int)(phase/1.818181))%198])-500)*0.002；
｝
M=0；
I=0；

//FIR 滤波器0rder 256、B 存储滤波器系数
对于(m = 0；m < 1200；m++)
｛
对于(I = 0；I < 257；I++)
｛
temp = temp + B[256-i]*mult[m + i]；
｝
//I = 0；
lkin[m]=温度；
温度= 0；
｝
}



｝

ADC ISR

//读取变量"value"中的 ADC 输出
ADCSequenceDataGet (ADC0_BASE、3、VALUE)；

//检查“值”是否大于阈值
//并更新状态检查变量“c”
如果(c<3)
｛
if (value[0])<(uint32_t) 1600)
｛
C=3；
I=0；
｝
｝

//开始将数据存储在 Data0[]中
//完成时更新状态变量“c”
如果(c==3)
｛
if (i<1500)
｛
Data0[i++]=(float)值[0]；
｝
其他
｛
I=0；
C=4;
｝
｝

ADCIntClear (ADC0_BASE、3)；

这是否可以进一步减少并提高效率？ (我认为这应该是可能的！)