[参考译文] TMS570LC4357：高速缓存数据/标签访问

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请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/arm-based-microcontrollers-group/arm-based-microcontrollers/f/arm-based-microcontrollers-forum/748554/tms570lc4357-cache-data-tag-access

器件型号：TMS570LC4357

您好！

我正在尝试检查2位 ECC 缓存异常。在文档中、我已经找到了在缓存上禁用/启用 ECC 检查的方法、但我想知道如何注入 ECC 错误。

在文档中、可以通过 AXI-S 从端口访问高速缓存。根据 Cortex-R5文档、我需要将 ACTLR 寄存器(AXISCEN)的位24翻转为1来访问高速缓存。最后、根据存储器映射、缓存区域对应于0x30000000至 0x37FFFFFF。我创建了一个与此区域对应的 MPU 区域、并授权用户和特权访问。

但是、当我尝试访问我定义的缓存区域时、我会获得与同步外部中止相对应的代码的数据中止异常。

我有访问高速缓存数据/标签的权限？

谢谢、

7 年多前

0 admin 7 年多前

TI__Guru**** 2611705 points

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您好！

请查看 TMS570LC4357勘误表中的 Cortex-R5 #7：spnz232b.pdf

www.ti.com/.../spnz232b.pdf

0 admin 7 年多前

TI__Guru**** 2611705 points

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您好！

我正在使用 user5879052、缓存配置为写入模式、因此您引用的勘误表不适用。

不过、关于这个线程、"不、Cortex R5不可能将 L1$映射为直接映射 RAM。"、但我们可以在 Cortex-R5F 文档中找到 ACTLR[AXISCEN]使您能够访问 AXI 从端口、读取构建选项2寄存器后、NO_SLAVE 位读取为0、表示 CPU 上有一个 AXI 从器件。

此外、在 TI TMS570LC4357 TRM (SPNU563A)文档中、我们可以看到高速缓存 RAM 是在第2.2章中映射的存储器。还有一个特定的章节说明高速缓存 RAM 可通过 CPU 的 AXI 从端口进行访问(第4.3.1.4章访问高速缓存存储器)。在第4.3章" CPU 互连子系统"中、表4-3还指示 CPU 可以访问 AXI 从端口。

所以我感到困惑：引用的线程的回复是否适用？如果是、为什么高速缓存 RAM 不直接适用、而所有文档都表示相反的情况？

否则、如果高速缓存 RAM 可访问、它的可行性如何？如 user587952所述、访问0x30000000处的缓存 RAM 会导致数据中止。我还进行了一些辅助测试：

在0x3000_0000处读取的32位或64位>>同步外部中止、DFSR[SD]= 1且 DFSR[RW]= 0
64位写入0x3000_0000 >> DFSR[SD]= 1且 DFSR[RW]= 1时的异步外部中止
访问地址0x3003FF8时结果相同

此致、

盖尔

0 admin 7 年多前

TI__Guru**** 2611705 points

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您好！

我有一些更新。

我注意到 Cortex R5文档中的更多信息、当 AXI 从器件被激活时、可在以下4个区域分别访问对应于组0-1、组2-3、组4-5和组6-7的数据：

从 30008000开始
至 3000C000

从 30010000起
至30014000

从 30020000起
30024000之间

从 30040000起
至 30044000

根据第9章中的 cortex R5文档、这是正确的、但是标签区域(例如)应该可以在地址30088000处访问、但是这个区域不可见。

与地址 31008000相同、该地址应对应于指令缓存地址。

此外、即使 ACTLR.CEC 翻转为4、PMCR.X 变为1、也不会检测到 ECC 错误。

您有更多信息吗？

谢谢

0 admin 7 年多前

TI__Guru**** 2611705 points

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您对如何访问高速缓存标记地址有什么指示吗？

0 admin 7 年多前

TI__Guru**** 2611705 points

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您好、user5879052、

我不知道如何访问缓存数据/标签。我们以前没有运行高速缓存 ECC 测试。我很抱歉无法提供更有用的信息。您是否联系了 ARM 支持？

0 admin 7 年多前

TI__Guru**** 2611705 points

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您好！

您是否使高速缓存 ECC 异常测试工作？

0 admin 7 年多前

TI__Guru**** 2611705 points

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您好！

我为使它在一个案例中运行而感到有点受骗、但我仍然无法实际执行我想要的操作。

查看高速缓存中的数据、我识别了 RAM 数据开头的数据、并在设置 ECC 错误后调用相应的变量。这将导致文档中描述的相应标志。

例如、我注意到对于一个变量 U32_test = 0x0、其中：
&U32_TEST = 0x08000000、
如果我执行如下读取值：
u32_read_test=*(TUINT32*) 0x08000000
未在缓存中提取数据
但是，如果读操作通过变量名称：
u32_read_test=u32_test
从缓存中提取数据、然后触发 ECC 缓存错误

我尝试使用指令缓存执行相同的过程、方法是在指令缓存中插入与闪存中的指令相匹配的指令、但当我执行闪存函数时、似乎它不会获取缓存中的指令。

启用 ACTLR 的 AXI 位后、我可以访问所有高速缓存、并且可以看到高速缓存中存储的数据及其标签、但现在我还不了解标签和实际存储地址之间的链接。我遵循了 cortex 的文档页226中所写的内容、但它实际上并不适用。

我希望能够将 RAM 中的数据/指令存储在高速缓存中、并且能够使用地址和标签重新找到它。因此、我可以自动执行测试、并测试标签 ECC 错误。

现在我没有联系 ARM 支持部门。

谢谢、
此致、

0 admin 7 年多前

TI__Guru**** 2611705 points

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感谢您告诉我们您的进度。不容易找到标签和实际地址之间的链接。

0 admin 7 年多前

TI__Guru**** 2611705 points

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您好！

您可以让 ARM 对此做出回答吗？我们没有与他们签订支持合同、因为我们从您那里购买产品(因此我们无法登录他们的私人问题系统)、但德州仪器(TI)是 ARM 的客户、我想他们应该提供付费支持。
这是他们的 Cortex-R5 TRM 中缺少的东西、他们应该在下一个修订版本中添加这些 TRM。
谢谢、
Étienne μ A