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[参考译文] RTOS/TM4C123GH6PM：TM4C123将数据保存到 EEPROM 或使用闪存

admin
Guru**** 2601915 points
Other Parts Discussed in Thread: TM4C1294NCPDT

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/arm-based-microcontrollers-group/arm-based-microcontrollers/f/arm-based-microcontrollers-forum/744038/rtos-tm4c123gh6pm-tm4c123-save-data-to-eeprom-or-use-flash

器件型号：TM4C123GH6PM
主题中讨论的其他器件：TM4C1294NCPDT

工具/软件：TI-RTOS

大家好、  

我正在寻找有关所选 MCU 的一些软件设计的建议。 我想使用具有256KB 闪存的 TM4C123GH、甚至具有1024KB 闪存 的 TM4C1294NCPDT 来运行一些电子器件并将一些数据保存在 NV 存储器中。 闪存是保存一些数据的好主意、还是最好使用 EEPROM 来保存数据？ 此外、我还输入了一些信息、如果电源在 这些扇区中写入数据时出现故障、可能会导致严重的系统损坏、因此我应该更好地使用一些外部芯片、如 FRAM？

此致

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    TI__Guru**** 2601915 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    您好、Djedjica、

    它取决于您需要保存的数据类型以及访问或覆盖数据的频率。 嵌入式 EEPROM 的一个大优势是它允许逐字擦除、而对于您已经指出的 TM4C MCU、您只能擦除1KB 块。

    通常情况下、首选使用 EEPROM、除非它不够大。

    关于电源故障可能会导致数据损坏、这些是器件版本6的问题、版本7中不存在。 您可以阅读我们的勘误文档以了解这些条件是什么、并查看声明它们仅影响修订版6器件： www.ti.com/.../spmz849f.pdf
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    TI__Guru**** 2601915 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    谢谢 Jacobi 先生、
    此时很难准确估计在产品寿命内会发生多少次写入、但可以很好地确定500K 将足够、因为我认为 TM4C1294NCPDT 中的6KB EEPROM 大小可能足够了。
    此致、