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对于单端输入、ANIx 差分 Rs 输入说明(I)是否在 ADC 电气规格和表15-4/5中最大 Rs 值是否保持相对? 请注意(i)状态(差分输入) Rs 值是 单端 ANIx 输入的 NSH 周期的倍数、尤其是在2MSPS 与1MSPS 的采样率下?
否则 、图15-7所示的单端模式下的最大 Rs 串联电阻值不 是最终 结果@2MSPS? 单端 ANIx 输入的 TSHn 编码值似乎反映 了源电阻乘以 NSH 周期、 而不 是确切的 Rs 值、如表15-4/5所示。 例如 、在硬件平均2个 @2MSPS 序列发生器的情况 下、图15-4/5 RS/FCONV 值似乎毫无意义、而 Rs 500更像是最大值的8倍、因此 TSNh 2x 编码会产生(Rs500 * NSH-8)= 4kRs 并降低采样率。
因此 、考虑 到 ANIx 输入电阻相对于 ADC 配置的影响、Rs 电阻值似乎只是一个开始的地方、在所有情况下都不是最终结果? Wiki 和 TI ADC 研讨会 SAR 文档不提供 此领域的任何详细信息。
表15-3注:
现在、允许的最大外部源电阻(RS)也会随 NSH 的值而变化、
因为输入电路的总稳定时间必须足够快、才能稳定在 ADC 分辨率范围内
进行采样。 输入电路还包括外部源电阻
ADC 的输入电阻和电容(RADC 和 CADC)。
您好、Charles、
我想您错过了注释(i)中指定的 Rs 值 用于 差分输入、不包括单端输入的一点。 可能 会注意到(i)建议表仅对差分输入有效? 单端 输入 Rs 将 与接地相关、具体而言、它是 作为电阻 分压器中的值 Rs 而不是作为串联阻抗绘制的。
也许注释(I)具有误导性、图15-7未正确绘制以将 Rs 描述 为 相对于接地的电阻、因为相对于 表15-4/5未描绘+Vs。
也许 +Vs 侧的 Rs 绘制在错误 的位置 、从而验证两个表 都是串联源(阻抗) 而不是串联接地电阻?
因此、很困惑如何正确地将 两个表 中的值与 分压器相关 、其中 Rs 的一端始终接地用于单端 ANIx 输入。
为什么注(I)被称为差分 和单端输入 、因为没有单端 输入的差分?
硬件过采样如何影响 Rs 最大电阻中指示 小于或大于表15-4/5所示的 NSH 周期? ADC 时钟 NSH 周期似乎会增加一倍、例如 @2倍过采样、从而使任一表中的最大 Rs 值加倍?
您在这里想说什么? BTW:报价是坏 的 IE 11浏览器,当我们单击报价时,它只会弹出一条语句。 "发布"按钮本周也会执行奇怪的操作。
RS =模拟源电阻(I)被定义为差分输入的平均值。 该注释将 单端 ANIx 输入定义为不受 Rs 影响、此外硬件过采样可能会增加或减少相对于 NSH 周期的 Rs。 Rs 似乎仅与(差分输入)的平均值相关、其中2个 ANIx 通道被配置 为对 模拟信号进行采样。
提出要求的原因是 、ADC 序列发生器 被 反激尖峰随机锁定、无法通过 电阻分压器监控总线电压、9.1k 到接地 不 与 信号串联、如图所示。 15-7显示。 否则 、我们有1.53兆欧的串联电阻、来自进入 ANIx 通道的电压源。 因此、对于 单端输入、Rs 值不能与 ANIx 输入和 NSH 表中的值串联。 现在、我们最近必须将 ANIx 输入去耦电容从0.1uf 更改为100pf、此时 只有 ADC0 SS0开始发生锁定 。 设置 NSH 编码值以反映 Rs= 9.1k 会 使序列发生器锁定更加频繁。
在注释(I)中定义 Rs 时、要为单端 ANIx 通道中的1.5兆欧串联电阻设置什么合适的 NSH 值? 数据表未 定义 Rs 偶数与 单端或仅 1个 ANIx 输入的关系。 在我看来、这些值的意思是建议 Rs 表值 相对于分支分压器中的接地值、 而不应在图15-7中描述为串联电阻。
您好 BP101:
[引用 USER="BP101]Rs =模拟源电阻(I)被定义为差分输入的平均值。 该注释将 单端 ANIx 输入定义为不受 Rs 的影响、[/QUERP]
对我来说、表27-45。 ADC 2MSPS 时的电气特性仅意味着列出的参数与2Msps 有关。 除了应用注释(I)的参数 VINcm (共模电压、差模)外、没有说该表仅适用于差分输入、而不适用于单端输入。 本表中提到的唯一 Rs 是250欧姆、这是根据表15-5中 Fadc=32MHz 对应的 nsh=4的最大电阻。
为了避免噪声耦合到 AINx、我认为您需要确保 AINx 附近有相当数字的信号。 与 INS 相邻的其他模拟信号应具有相同的源电阻。
在系统设计指南应用手册中、建议 使用电阻分压器调节输入电压、然后使用低值电阻器可实现最佳结果。 从 ADC kΩ 到接地的电阻器最好应小于1k Ω。 kΩ 存在大滤波电容器、避免值高于10 μ F。 您的电阻分压器当前具有9.1k。
数据表中没有1.5Mohm Rs 的 nsh。 nsh 的最大数量为256、Rs 约小于200k。 我认为您的目标应该是缩短稳定时间、而不是增加稳定时间。 我认为以下公式可能会有所帮助。
(Cext + Cadc) x (1 - 1 /(2 ^(12 + 2)))= Cext、其中12来自12位 ADC、另外2种方法允许 Cext 从数据表中恢复到1/4 LSB 和 Cadc=10pF。 求解 Cext = 16383 x 10pF = 163.8nF。 目前您有100nF 的电容。 您能否尝试更改为>163.8nF,并看到它会带来不同?
>>为了避免噪声耦合到 AINx、我认为您需要确保 AINx 附近有相当数字的信号。 与 INS 相邻的其他模拟信号应具有相同的源电阻。
这可能是一个问题 、因为一个 INA240输入没有 Rs 接地、并且直流总线电压 ANI-8引脚124存在于两个模拟比较器 C2-输入温度传感器500R 输出200N 靠近 ANI-7、9 MCU 引脚123、125。 在电机启动过程中、ADC 序列发生器锁定我的唯一时间。 FOC 启动 崩溃 会在电源轨以上产生 HV 尖峰、或者当24V 直流 电源线可能脉冲数次以降低 电流时、会产生多次滴答。
为 ADC0 SS0 TNSH 0x66666666 ( Rs=9.5k 最大值)奇怪地使 ANI-8引脚124输入可以在 PWM 预充电期间锁定 SS0。 奇怪 的 SS0 TNSH 0x44444444 (Rs=3.5k 最大值)如果 预充电 设置为10ms 或更短、则在不锁定 SS0的情况下工作频率更高。
您好、Charles、
TINA 分析结果如所示、Rs 似乎相对于接地而不是源信号。 从实际有效结果来看、表15-4/5仅显示外部 Rs 值、而不是在每个条目中添加内部 Radc (2.5k)。 表格上方的文本将使大多数读者认为已添加了 Radc。
虽然未说明、但硬件平均值(HWA)的2倍似乎会使允许的 Rs 最大值加倍。 由于 NSH 保持时间也因此增加了一倍、这似乎是合理的。 随附的是 Tina 结果、200N 的 Rs 为4.87k (结果15)似乎最佳、但早期0.33uf 至10uf 的测试未产生可用结果。 Rs 4.87k 似乎已停止 SS0锁定100pf 接地、0x4编码。 Rs+Radc = 7370欧姆* 2xHWA = 14、740欧姆(最大允许的 TSHN 0x4编码)?
您好、Charles、
TM4C1294KCPDT -NCPDT 数据表错误地建议 Rs 为电阻、但实际上是源阻抗、它们是不同的。 当串联源阻抗相对于 ANIx 输入端的输入频率发生变化时、频率更有意义。 数据表中的几个地方声称 Rs 是电阻、当它应该被声明为 阻抗时。
因此、当源串联电阻远高于任一表中允许的最大 Rs 阻抗时、TSHN 编码似乎围绕网络分压器接地电阻旋转。