[参考译文] TMS570LS3137：SafetyMCU_Bootloader - Fapi_BlockEras()挂起

我认为用0xFFFF 替换 Fapi_enableMainBankSectors (0xFFFE)在我的情况下不适用、因为我不关心擦除扇区0。
下面是我添加的一行：

部分
｛
.intvecs：{}>向量
闪存 API：
｛
..\Releases\Fapi_UserDefinedFunctions.obj (.text)
..\Release\BL_FLASH.obj (.text)

//！！！ 由我开始添加！！！
..\Release\BL_FLASH.obj (.const)
//！！！ 由我添加的结束！！！

--library= F021_API_CortexR4_be.lib < FlashStateMachine.IssueFsmCommand.obj
FlashStateMachine.SetActiveBank.obj
FlashStateMachine.InitializeFlashBanks.obj
FlashStateMachine.EnableMainSections.obj
FlashStateMachine.IssueFsmCommand.obj
FlashStateMachine.ScaleFclk.obj
init.obj
utilities.CalculateEcc.obj
utilities.WaitDelay.obj
utilities.CalculateFletcher.obj
read.MarginByByByByByByByByByByByByByByBy
Read.Common.obj
read.FlushPipeline.obj
read.wdService.obj
ASYNC.WithAddress.obj
program.obj >(.text)
｝load = flash_API、run = SRAM、load_start (api_load)、run_start (api_run)、size (api_size)

您好！

您能否替换：

--library= F021_API_CortexR4_be.lib < FlashStateMachine.IssueFsmCommand.obj

FlashStateMachine.SetActiveBank.obj

FlashStateMachine.InitializeFlashBanks.obj

FlashStateMachine.EnableMainSections.obj

FlashStateMachine.IssueFsmCommand.obj

FlashStateMachine.ScaleFclk.obj

init.obj

utilities.CalculateEcc.obj

utilities.WaitDelay.obj

utilities.CalculateFletcher.obj

read.MarginByByByByByByByByByByByByByByBy

Read.Common.obj

read.FlushPipeline.obj

read.wdService.obj

ASYNC.WithAddress.obj

program.obj >(.text)

其中：

--library= F021_API_CortexR4_be.lib (.text)

在 linker.cmd 文件的 flashAPI 部分中

您是否将 flashSPI 段复制到 SRAM 中？ 正确、您不必将0xFFFE 更改为0xFFFF、因为您希望保护引导加载程序的第一个扇区。

谢谢你。
1-我根本没有修改原始的引导加载程序项目。 因此、_copyAPI 2RAM_()；按照设计在_c_int00 ()内调用。 我在 RAM 中查看了存储器、并看到了与闪存 API 相关的函数名称、起始地址为0x08002000

2-我按照您的建议尝试了连接器文件中的替换。 基本上--library= F021_API_CortexR4_be.lib (.text)而不是那个长列表。
不幸的是、仍然存在相同的行为。 停留在 Fapi_BlockEras()。

我正在尝试将 s/w 断点放在 Fapi_BlockEras()内。 无论调试是奇数、它都会跳转到奇数行。 不知道为什么？ 这是因为 Fapi_BlockErase 正在 RAM 中运行吗？

您是否能够使用此示例引导加载程序的下载功能？

不确定要尝试或关注什么？

是否有人能够执行此示例引导加载程序擦除并写入闪存？

或者是否有任何擦除/写入闪存的示例应用？ (适用于 TMS570LS3137系列)

感谢您的帮助和指导、

我在 www.ti.com/.../spnu501h.pdf 上看到了这个
================================================================
需要可读的存储器区域
注意：F021闪存 API 库必须能够从地址0x000、0x100、0x200、
0x300和 TI OTP 区域0xF008_0000 - 0xF00B_0000、以便 API 运行
正确。
================================================================
阅读此内容后、我为链接器文件中的 vectors 部分添加了 R 选项、如下所示：

存储器
｛
//原始行：引导程序(X)：origin=0x00000000 length=0x00000020
引导程序(RX)：origin=0x00000000 length=0x00000020
Flash_API (RX)：origin=0x00000020 length=0x000014E0
FLASH0 (Rx)：origin=0x00001500 length=0x002FEB00 //LS31x 闪存大小为0x300000
SRAM (RW)：origin=0x08002000 length=0x0002D000
堆栈 (RW)：origin=0x08000000 length=0x00002000
｝

这没有进行任何更改。
不过、不确定这个0xF008_0000 - 0xF00B_0000区域。

您好 QJ、

您的 TI 支持人员是否能够在 TMDS570LS31USB 开发板上通过 processors.wiki.ti.com/.../TMS570_Hercules_MCU_Bootloader 运行此 Hercules_MCU_Bootloader.zip？

我最后尝试的是向 SRAM 添加"X"权限、因为 FLashAPI 在 SRAM 上运行。 但是、这也没有什么不同。
我还根据上述注释添加了 OTP 区域行。 这也没有什么不同。

存储器
｛
//原始行：引导程序(X)：origin=0x00000000 length=0x00000020
引导程序(RX)：origin=0x00000000 length=0x00000020
Flash_API (RX)：origin=0x00000020 length=0x000014E0
FLASH0 (RX)：origin=0x00001500 length=0x002FEB00 //LS31x Flash size 是0x300000
//原始行：SRAM (RW)：origin=0x08002000 length=0x0002D000
SRAM (rwx)：origin=0x08002000 length=0x0002D000
栈(RW)：origin=0x08000000 length=0x00002000
//由我添加
OTP (RW)：origin=0xF0080000 length=0x00030000
｝

我希望 TI 的各位可以在 TMDS570LS31USB 上测试这个 Hercules_MCU_Bootloader.zip。
提前感谢您、

您好！

应用程序映像的起始地址是什么？

我注意到频率错误。 调用 Fapi_initiataleFlashBanks()时，我必须将频率减半，从160 MHz 降低到80 MHz。
我不知道为什么80MHz 工作、而不是160。
是否有关于每个闪存操作所需频率的任何文档或说明、例如擦除或编程？

谢谢、