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器件型号：TMS570LS3137 我正在使用 TMDS570LS31USB。 我正在使用 F021闪存 API v02.01.01。
我设法擦除组1中的闪存扇区并对组1中的数据进行编程。
奇怪的是当我将(160/2) MHz 作为 Fapi_initiatalizeFlashBanks()的输入频率时擦除扇区会起作用。
当我将(160) MHz 输入到 Fapi_initiatalizeFlashBanks()时、编程工作正常。
我遇到的最接近的提示位于 spns162c (TMS570LS3137的数据表)：
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TCM 闪存可在非管道中支持零地址和高达50MHz CPU 速度的数据等待状态
模式。 对于 PGE 封装和、闪存支持管线模式中160MHz 的最大 CPU 时钟速度
对于 ZWT 封装为180MHz、具有一个地址等待状态和三个数据等待状态。
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但是、此注释并未明确说明从擦除到编程所需频率的变化。
如何找出擦除/编程等所需的频率？ (而不是实验)
提前感谢您、
