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[参考译文] RM44L920:qestion on the " Mirrored Flash" usage

Guru**** 2477065 points


请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/arm-based-microcontrollers-group/arm-based-microcontrollers/f/arm-based-microcontrollers-forum/686891/rm44l920-qestion-on-the-mirrored-flash-usage

器件型号:RM44L920

尊敬的 Hercules 团队:

如果我的客户有以下问题:

“镜像闪存”是否可用于应用用例?
[Matthias ]:
我不这么认为。 如果我正确理解 TRM 和数据表,“镜像闪存”(从0x20000000开始)只是用于 ECC 机制,当然也包括与主闪存相同的内容(从0x00000000开始)。 它在物理上是相同的存储器。 因此、它不能用于任何固件更新机制。

同样、对于此器件、安装小型引导加载程序代码以使其无法轻松擦除的选项是什么?
[Matthias ]:
我知道、我们有不同接口的引导加载程序示例、它们必须从0x00000000开始执行。 我们在 Hercules MCU 中是否有任何机制来保护要意外擦除的某些闪存部分(例如引导加载程序)?
我在文档中找不到任何内容。

谢谢、BR、

Matthias

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    Matthias、您好!

    可通过禁用扇区(寄存器 FBSE)来保护主闪存的扇区不被擦除。 如果引导加载程序仅位于扇区0、则将 FBSE 配置为0xFFFE 将保护引导加载程序不被擦除。