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器件型号：TMS570LC4357 TMS570LC43x TRM 列出了以下特性："对称双端口(端口 A 和端口 B)、可实现更高的性能、并从一个或多个总线主控对不同组进行并发访问。" 不同操作的端口委派是如何完成的？ 编程人员对此是否有任何控制？
TRM 的第7节列出了可执行的几项诊断测试：
I) 7.6 FMC ECC 检查的故意 ECC 错误-从单错误和双错误 OTP 读取并验证 SEC 和预期 ESM 故障。
II) 7.8.2.2 ECC 数据校正诊断模式7：操作数据和/或 ECC 以验证 SEC 和预期 ESM 故障。
III) 7.8.4 SECDED 软件诊断：隐式读取 L2FMC SECDED 测试。
测试(III)包含验证 L2FMC SECDED 的过程、但通过 运行测试(II)或测试(I)可以更好地验证 L2FMC SECDED、因为我们可以提供错误输入。 我在这里的理解是否正确？ 如果我们已经执行了测试(I)或(II)、我们是否通过运行测试(III)获得任何额外的覆盖范围？
3.我的客户一直在尝试 DIAGMODE=5 (在7.8.2.1地址标签寄存器测试模式5中描述)。 它们 获得 的预期结果为 DIAG_BUF_SEL =｛4、5、6、7｝(ADD_TAG_ERR 被置为有效)、但不适用于 DIAG_BUF_SEL =｛0、1｝(ADD_TAG_ERR 保持置为无效)(换句话说、它们在测试端口 B 缓冲器但不测试端口 A 缓冲器时获得预期结果)。 无论从 SRAM 还是闪存中执行测试例程、它们也会看到相同的行为(请注意、此测试中的步骤(1)是"分支到非闪存区域以执行此序列")。 我们是否有任何建议或想法、这里可能会发生什么情况？
谢谢！
