[参考译文] 如何测试 EMIF 连接到 TMS570的外部 NOR 闪存

您好 Ragesh、

您不能将数据直接写入 NOR 闪存地址。 您需要遵循 NOR 闪存数据表中定义的读取/写入序列。

例如：S29GL01 NOR 闪存

要将字(Word 程序)写入 NOR 闪存、您需要：

1.将 AA 写入0x555

2.将55写入0x2AA

3.将 A0写入0x555

4.然后将数据(PD)写入指定地址(PA)

您好、Wang、

非常感谢您的支持。

我使用 S29GL128S10DHB010作为外部闪存。

我使用以下代码在闪存存储器位置写入单个字

void program_worth()
｛
   uint16_t * base_addr =(uint16_t *) 0x60000000；
   uint16_t * pA =(uint16_t *) 0x60000100；
   uint16_t data = 0x1234；
   
 *((uint16_t *) base_addr + 0x555)= 0x00AA；  /*写入解锁周期1           */
 *((uint16_t *) base_addr + 0x2AA)= 0x0055；  //写入解锁周期2           *
 *((uint16_t *) base_addr + 0x555)= 0x00A0；  /*写入程序设置命令    *
 *(uint16_t *) pA)               = data；    //写入要编程的数据    */

｝

当我查看存储器位置0x60000100时，它会显示不同的值，大多数时候它会显示0x000e0000。

我将 TMS570LC4357用作 MCU、EMIF 异步存储 器在0x60000000中定义、因此我将基址用作0x60000000、该存储器也在链接器文件中定义。

我的理解和测试代码是否正确？

谢谢、此致、

Ragesh M R

您好、Wang、

我已经尝试过该序列、但它不起作用。

请提供任何测试建议、因为它是多层的、所以我无法探测电路板中的信号。

谢谢、此致、

Ragesh M R