[参考译文] TMS570LC4357：与 TMS570LS3137相比、执行时间非常长

感谢你的答复。 您还可以帮助我完成启用高速缓存的步骤、以及如何检查(哪个寄存器)是否已启用高速缓存？ 我找到了一些启用高速缓存的代码、但找不到哪个寄存器来检查是否启用了高速缓存。

此外、如何将其配置为回写模式、无写分配模式或其他模式？

谢谢你。

感谢你的答复。 您还可以帮助我完成启用高速缓存的步骤、以及如何检查(哪个寄存器)是否已启用高速缓存？ 我找到了一些启用高速缓存的代码、但找不到哪个寄存器来检查是否启用了高速缓存。

此外、如何将其配置为回写模式、无写分配模式或其他模式？

谢谢你。

您好、Gobind、

HALCoGen 生成用于初始化器件的代码、其中包括启用/禁用高速缓存。 检查 HALCoGen 中的"R5-MPU-PMU"选项卡。 在同一个选项卡上、您可以配置 MPU 以设置存储器区域、并选择每个区域是否可缓存以及其他属性。

此致、
Sunil

好的。 现在、我已经配置了高速缓存存储器、执行时间大幅减少。
我有几个问题：

我没有启用 MPU、这意味着存储器属性是默认的属性、整个闪存和 RAM 处于回写、写分配(WBWA)模式。 (此假设是否正确？) 一组指令的执行时间为734ns。 当我启用 MPU 并且我认为我配置了它直写(WT)模式时。 同一组指令的执行时间为610ns。 是否为预期行为？ 如果是、为什么 WT 模式比 WBWA 模式更快？

2.在 CCS 表达式窗口中、当代码在启用缓存的情况下运行时、表达式窗口中的值都为零。 一旦暂停执行、就会看到实际值。 启用缓存后、是否可以并行查看表达式窗口中的这些值？ 当缓存被禁用时、值是正确的。

另一个问题是、启用缓存存储器时、是否无法从 RAM 执行代码？ 我尝试过这种方法、但我面临着问题。 我看到有一些异常出现、或者有时从 RAM 运行的函数中仍然存在控制、并且永远不会出现。

请有人回答以上问题吗？

谢谢你。

Gobind、

这些问题不再与原始帖子和标题有关。 请为与原始帖子无关的问题/主题启动新主题。

请参阅以下我的评论：

我没有启用 MPU、这意味着存储器属性是默认的属性、整个闪存和 RAM 处于回写、写分配(WBWA)模式。 (此假设是否正确？) 一组指令的执行时间为734ns。 当我启用 MPU 并且我认为我配置了它直写(WT)模式时。 同一组指令的执行时间为610ns。 是否为预期行为？ 如果是、为什么 WT 模式比 WBWA 模式更快？

>>请分享您配置 MPU 的代码以及您正在执行的指令。 如何测量执行时间？

2.在 CCS 表达式窗口中、当代码在启用缓存的情况下运行时、表达式窗口中的值都为零。 一旦暂停执行、就会看到实际值。 启用缓存后、是否有方法并行查看表达式窗口中的这些值？ 当缓存被禁用时、值是正确的。

>>调试器内存窗口使用处理器刷新内容。 这要求处理器停止执行代码、切换到调试状态(有关调试状态的详细信息、请参阅 ARM 架构参考手册)、并从显示的存储器位置执行读取操作。 TMS570 MCU 上有一种在不使用或停止处理器的情况下显示存储器位置的方法。 这要求您映射调试器存储器窗口、以由 DAP (调试访问端口)代替处理器刷新。

3.另一个问题是、启用缓存存储器时、是否无法从 RAM 执行代码？ 我尝试过这种方法、但我面临着问题。 我看到有一些异常出现、或者有时从 RAM 运行的函数中仍然存在控制、并且永远不会出现。

>>如何设置代码以从 RAM 执行？ 您会得到什么例外情况？

此致、
Sunil