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[参考译文] TMS570LC4357：如何实现擦除/写入整个闪存组(0&amp；1)

admin
Guru**** 2398735 points
Other Parts Discussed in Thread: TMS570LS1114

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/arm-based-microcontrollers-group/arm-based-microcontrollers/f/arm-based-microcontrollers-forum/726733/tms570lc4357-how-to-implement-erase-write-the-whole-flash-banks-0-1

器件型号：TMS570LC4357
主题中讨论的其他器件：TMS570LS1114

您好 TI、

我从 TMS570LS1114中获取了参考、它只有一个闪存组(即闪存组0)。

但目前我在 TMS570LS4357中工作、它有2个闪存组(即闪存组0&1)。

我只配置了一个存储块、它在处理之前为 TMS570LS1114编写的代码时工作正常。 但现在我的要求是、我需要擦除/写入闪存组(0&1)。

我阅读了库手册。 我发现、每当我执行开关时、我需要设置活动闪存组。 那么、如何实现它呢？

请帮帮我。

谢谢！！

BR

Vigneshwar

  • 0
    TI__Guru**** 2398735 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    您好 Vigneshwar、

    您需要设置活动组：0或1
    Fapi_setActiveFlashBank (0)；用于组0
    或 Fapi_setActiveFlashBank (1)；对于组1
    2.启用组扇区：
    例如、 Fapi_enableMainBankSectors (0xFFFF)；
    然后使用扇区的地址擦除组0或组1中的扇区：
    Fapi_issueODE19 CommandWithAddress (Fapi_EraseSector、Sector_address)；

    或者使用以下命令擦除整个存储块：
    Fapi_issue19 CommandWithAddress (Fapi_EraseBank、Bank_address)；

    4.使用地址将代码编程到 Bank0或 Bank1：
    fapi_issueProgrammingCommand ((uint32_t *) dst、(uint8_t *) src、(uint32_t) bytes、...)；
  • 0
    TI__Guru**** 2398735 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    QJ Wang、您好！

    感谢您的回答！！

    是的。 我实现了相同的目标！！

    根据我的理解、在我阅读库参考手册后、
    "所以、 。 例如，如果我在 bank0中执行闪存操作，并且如果需要在 bank1中执行闪存操作，那么首先我需要将活动组设置为1，第二，我需要启用组扇区，最后我需要擦除/写入。

    因此、如果我需要从一个组切换到另一个组、我需要重复执行该序列。"

    为此、我需要在每次银行地址时检查地址、并做出决定。 所以、我要求实现这一方案。 并验证我对理解的看法。

    现在很清楚！！

    谢谢！！


    此致、
    Vigneshwar。