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[参考译文] TM4C1294KCPDT:高电势 Rs ANIx 阻抗

Guru**** 2482105 points
Other Parts Discussed in Thread: INA240

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/arm-based-microcontrollers-group/arm-based-microcontrollers/f/arm-based-microcontrollers-forum/706978/tm4c1294kcpdt-high-potentials-rs-anix-impedance

器件型号:TM4C1294KCPDT
主题中讨论的其他器件:INA240

SAR ADC 研讨会文档和其他 TI 资源 试图 说明相对于  Rs 源阻抗、所有模拟电压电势对 MCU 没有直接影响。

然而、当 ANix 输入受到 高电势或 电压的影响时  、MCU 可能 会受到线路瞬变的影响、这些电势附近的电阻分压器或传感器会对这些电势进行监控。 在这些条件下、Rs 阻抗越高、这似乎是更好的选择?  似乎 ANIx 输入阻抗超过1.5兆欧 、可提供与  高电势和 瞬态源的特定信号隔离。 对于 大多数围绕高电势的模拟电路设计而言、似乎是经验法则、尤其是在电视电路中、许多不同的频率可能会收敛或影响信号。

即使    TVS 二极管和其他 EMI 滤波 保护了 ANIx 输入、也不会将 Rs 阻抗降低到500欧姆以下、进而使 SAR ADC 承受更大的电势或瞬变? 为什么没有 人讨论此主题、但 TIDA 工程师仍在继续开发 高电压逆变器设计、其中 Rs 阻抗 保持高(9.1k)、这似乎是有目的的?  相对于  cADC 的稳定时间或 TSN 保持值是否存在高阻抗源问题? 也许一种适合所有人的方法 并不能很好地用于 所有模数转换、 因为 TI 最多只能忽略显而易见 的粗略数据。  

是否   存在 与 SAR ADC 相关且通过 ANIx 输入分压器间接监控高电压电势的折衷、这似乎是如此。  

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    您好 BP101:
    我不是这个主题的专家。 但是、我发现一些 TI 应用手册和博客可能有助于指导/讨论源阻抗选择。 请看一下。

    e2e.ti.com/.../first-rule-of-thumb-when-driving-adc-inputs
    www.ti.com/.../sboa097b.pdf

    以下链接将带您前往 TI 学员中心、了解有关 ADC 的所有信息。 www.ti.com/.../learning-center.html
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    您好、Charles、

    PDF 讨论+/-10V 是 HV、POST 是指50Vdc 或更高版本。 讨论链接提供了有关 AINx 阻抗的更多信息。 然而、TI-Tina 瞬态分析表明、INA240进入 AINx 的输出是(-1.77z)兆欧、而只是在输入之前添加100R。 一些文本建议仪表放大器输出产生低阻抗信号。 无论瞬变是否会侵入信号、瞬变都必须被 AINx 输入阻抗抑制、尤其是当它们远低于接地值或高于 VREFA+时。 我们可能会在示波器捕获上看到瞬变、但如果阻抗抑制 AINx 通道、则对损害该通道的影响很小。

    Google 搜索有关负阻抗的几个讨论可以得出结论:越负、HV 电源和 MCU 之间的隔离就越好。 然而、负 Rs 阻抗的相同正极如何影响趋稳和采集时序?

    更大的问题是负阻抗如何影响 TM4C1294 SAR ADC? 是否认为负阻抗甚至低于最低 Rs 或 TSHN 编码值更好?