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[参考译文] TMS570LC4357:EMIF SDRAM DQM

Guru**** 2466550 points


请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/arm-based-microcontrollers-group/arm-based-microcontrollers/f/arm-based-microcontrollers-forum/668139/tms570lc4357-emif-sdram-dqm

器件型号:TMS570LC4357

您好!  

我对 EMIF SDRAM 控制器的行为有疑问。  

我将 EMIF 与16位数据总线 SDRAM 相连。  

在《技术参考手册》中,我看到:

  • 对于写入操作、将驱动 EMIF_nDQM[1:0]引脚来选择将数据字的哪个字节写入 SDRAM 器件。 它们还用于在突发访问期间屏蔽整个不需要的数据字。
  • 对于读取操作、EMIF_nDQM[1:0]引脚在读取命令期间被驱动为低电平、并在与突发请求相对应的 NOP 命令期间被保持为低电平。

我的理解是、EMIF 控制器可以使用 DQM 信号对 SDRAM 进行8位写访问、但始终实现16位读访问(对于每个读操作、EMIF_nDQM[0]= EMIF_nDQM[1]="0")。

您能否确认我的理解是正确的?  

提前感谢。

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    Hongphuc、您好!

    你是对的。 EMIF 在 WRT 命令期间使用 EMIF_nDQM[1:0]引脚来屏蔽所选字节或整个字。 在读取命令期间、EMIF_nDQM[1:0]引脚始终为低电平。
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    感谢您的快速回复。