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您好!
我们使用 Hercules 板 rm48l952zwt 和 halcogen 4.03.00来构建驱动程序和应用程序代码、并在组0扇区0上使用 TI 引导加载程序进行引导、然后跳转到基于 halcogen 的驱动程序/应用程序代码。 我们发现 TI 引导加载程序存在一个问题、即如果引导加载程序发生电源欠压、则会损坏闪存的内容。 如果我们仅使用基于 halcogen 构建的驱动程序的纯调试版本、则这不是问题、它会锁定组0和组1的访问、并且只允许通过 EEPROM/FLASH 仿真 API 访问组7。 但是、我们需要引导加载程序、因为我们当然希望允许在现场动态升级我们的应用程序。 在另一个线程中、TI 工程师表示 TI 将使用更新版本的引导加载程序、因为适用于我们平台的引导加载程序已使用了大约6年。 由于我们必须为客户解决这个问题、与此同时、我们从 HalCoGen 生成的代码中创建了一个引导加载程序、这个代码没有欠压问题、这是因为在 HalCoGen 生成的代码中、缺省情况下会阻止对闪存进行擦除/写入的访问。 现在、我们只希望在升级的情况下允许使用 TI 引导加载程序允许的 FAPI 库进行擦除/写入访问(从而将掉电的风险限制为仅在升级期间)、我们使用闪存控制器中的哪些寄存器来实现这一点 (例如、BROT、FBSE 等)并且可以在扇区级别控制擦除/写入访问(并且可以通过不启用写入/擦除访问来保护组的其余部分不受欠压影响)、还是仅在整个组级别阻止擦除/写入访问或允许访问? 谢谢你。