[参考译文] RM48L950：过压或瞬态电压对 MCU 的影响

只是想补充一点、该项目不使用 TPS65381A-Q1 PMIC、我们使用分立式电源。

我们是否可以假设问题的答案是
过压、无论持续时间多么短、都将永久损坏器件？

您好！
您应避免使用与 TI 推荐的电源不同的任何电源。
任何高于绝对最大额定值的电源都可能会永久损坏器件(Vcc ->-0.3. 1.43；Vccio ->-0.3...4.6V)。 此外、长时间在绝对最大额定值下工作可能会导致器件不稳定。
VCOM (生成 PGMCU 和 PGIO 信号)可隔离内核逻辑和 I/O 这样、您就不必遵循加电/断电顺序。

此致、
米罗

您好！

感谢您提供信息。
我们清楚地知道、这可能会永久损坏器件。

我们将添加过压保护、
但是、如果我们想知道过压会对器件的硬件逻辑造成何种损害、

我们是否可以假设以下预测对器件的永久损坏是正确的。

1>关于内核逻辑、内核逻辑具有低输入阻抗、如果存在过压、
会有过多的电流流入内核逻辑、VCC 和 GND 之间会短路、
进而损坏器件。

2> VCC 和 VCCIO 之间的隔离会被破坏，并且会出现短路
在 VCC 和 VCCIO 或其他电源域之间创建。
进而损坏器件。

我知道 TI 可能尚未对此进行详细测试、
任何有关老年性的信息都是有用的。

此致
巴杜语