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[参考译文] TM4C1294NCPDT：高温后果

admin
Guru**** 2481465 points


请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/arm-based-microcontrollers-group/arm-based-microcontrollers/f/arm-based-microcontrollers-forum/701156/tm4c1294ncpdt-consequences-of-high-temperature

器件型号：TM4C1294NCPDT

您好！

我想知道 长时间暴露在高温环境下对 TM4C129 MCU 造成的后果、例如在65°C 下5或6小时  

上下文：电路板位于暴露于太阳下的密封器件内。 器件内部的温度偶尔会达到75°C 大多数器件单元不会显示任何工作问题、但某些样片在访问 EEPROM 和片上闪存时会出现问题。 例如、当我尝试写入 EEPROM 时、我收到错误0x200 (我在任何地方都找不到它的描述)。 如果我再次尝试、我会得到错误0x10 (对应于 EEPROM_RC_NOPERM：尝试写入值、但目标权限不允许写入操作。)。 同样、如果我尝试使用 ROM_FlashProgram 命令写入片上闪存、我会得到错误-1。

如果我将此设备放入内部并等待其变冷、则在重新启动后它可以正常工作。

我认为这两种现象(高温和无法写入内存)可能是相关的、但有人可以确认吗？ 为什么某些装置工作正常、而其他装置工作错误？

谢谢你。

TM4C1294NCPDT

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    TI__Guru**** 2481465 points
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    虽然温度确实会影响闪存擦除、编程和数据保持、但65°C 至75°C 的温度不足以导致编程故障。 器件的结温能否高得多？ 您是如何测量温度的？ 器件是否完全封装在防止器件充分耗散大约0.5W 功耗的材料中？

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    TI__Guru**** 2481465 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    感谢 Bob 的回答。

    我有两种不同的测量方法：一种是来自 MS5611温度传感器、另一种是来自片上内部温度传感器、两种测量方法都相对相似。

    该器件目前没有散热器、但与电路板尺寸相比、其内部相对较空。  由于该器件持续暴露在太阳热下、因此我们的想法是让一些空气通风并避免过热。   

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    TI__Guru**** 2481465 points
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    内部温度传感器应该能够很好地估算结温、所以我不认为温度是故障的直接原因。 您能否在故障条件下测量 Vdd？ 电流要求增加、电源电路的效率随着温度的升高而降低。 如果 Vdd 电源降至最低2.97V 以下、但不足以触发电压监控器、则闪存编程可能会失败。
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    TI__Guru**** 2481465 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    感谢 Bob 的解释。  

    我将检查 VDD 电源、看看是否有问题。

    再次感谢！

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    TI__Guru**** 2481465 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    虽然我的公司不使用您的特定 MCU -我们提供电机控制子系统-在夏季、该子系统可用于多家(超级加热)美国(西南部)工厂。   根据所需的功能、我们的 MCU 涵盖 M0、M3、M4和 M7的 ARM Cortex 范围。   注意-我们遇到的温度超出了您列出的温度、并且早期还提到了"LUB-System Issues (子系统问题)"。

    除了监控温度(如您所做)和 Vdd (如供应商所建议)之外、还怀疑(甚至)其他措施(可能)会有所帮助。   (对我们来说、事实证明是如此...)   您可以考虑：

    • 监控 MCU 的(关键)内核电压。  (请相信标签为"Vddc"-对于该供应商的 MCU)  该关键电压的(外部)负载电容器(合理)严格规范-但宽温度偏移可能会"过度挑战"。
    • 监控"所有" 电压源(假设的电池)以及稳压器、基准(如果有)
    • 您的外壳应"反射"光线-不要吸收。   更大的外壳-在"热发生器"之间实现更大的物理隔离-也应该有所帮助
    • 考虑将线性 V_Regs 替换为 Switcher V-Regs -如果这些线性稳压器证明(不需要)热源
    • 当温度接近"临界"时-考虑：
      • 减少 MCU 的系统时钟
      • 摆脱那些" MCU 外设"(非)任务关键 型(即中止时钟-甚至更好地断电(如有可能))
      • 摆脱那些会增加热量的"非 MCU"器件... (如果"任务关键型"-通过 MCU GPIO (由适当的 FET 缓冲)打开/关闭这些电源(根据需要)
      • 如果任务的"命令和控制"允许、请订购 MCU 至其最低功耗模式之一-仅在定期(或刺激时)唤醒

    这些策略(单独使用或(更好)结合使用)几乎可以保证扩展基于温度的操作范围。   

    为了获得最大的见解和优势-您需要一个功能强大的"数据采集系统"、该系统可以容纳所有这些数据。   (并且以令人满意的采集率和准确度)   

    当证明"变化率"(而非绝对值)最初导致我们的系统"失去思维"时、我们面临的最大挑战就出现了。

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    TI__Guru**** 2481465 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    非常感谢！ 我希望你作出答复，因为你提出了非常相关的解决办法。

    我将此帖子设置为已解决、但如果我按照您和 Bob Crosby 的提议找到问题的根源、我将尽快发布。
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    TI__Guru**** 2481465 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    [引用 user="Gello"]我希望您能回复，因为您提出了非常相关的解决方案。

    非常感谢我的朋友。   (现在...  我知道我的(一个)"粉丝"是谁！)   

    我会建议-"为什么将您的调查与单个措施关联/限制？"    执行"生活"诊断-这种"有限/独特的努力"不太可能保持我们的"开放"。   众所周知，一个人不能： 太富，太薄，也不能太多…… 关键/关键数据！

    除了简单的列表外、还介绍了"探测对象/探测位置"、这是一种(选择性)降低系统内部温度的多点策略。   这对我们来说"很好"-现在是 "很好"。

    如上所述：

    • 高精度测量
    • 足够的频率
    • 并且在选择和数量方面都足够

    获得诊断成功的最大可能性...

    我想补充一点、您在"已知"工作后执行此类"多项测量"(如前所述)、然后执行"已知"故障单元、应有助于"突出温度敏感度区域！"    (可能)

    (建议的最相关的解决办法之一是恢复'类似'。  忽视-从而导致我/他人退出本论坛...  E2E crüe 应该引以为傲...)