[参考译文] CCS/TM4C129ENCPDT：来自 RAM 的 TM4C129ENCPDT ISR

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Guru**** 2044370 points

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器件型号：TM4C129ENCPDT

工具/软件：Code Composer Studio

您好！

在我的代码中、.intvecs 存储器部分链接到闪存。在初始化期间、矢量表没有复制到 RAM。例如，我也可以使用 C2000系列中的 MCU，其中 memcpy ((void *) 0x000D00，&PieVectTableInit……) 用于复制中断矢量表。在这种情况下、中断表位于 RAM 中、因此必须对其进行复制才能正常运行、而在 TM4C129表中、中断表位于片上闪存0x0000.0000的开头。

TM4C129是否支持一些允许从闪存快速执行中断例程的优化预取机制？数据表提到了向量表位置引入偏移的可能性、但是、TivaWare 示例(我特别查看 enet_lwip)不使用偏移选项、这意味着从闪存中提取 ISR。

/*内存中的段分配*/

段
｛
.intvecs：> app_base
.text：> FLASH
.const：> FLASH
.cinit：>闪存
.pinit：> FLASH
init_array：> FLASH

.vtable：> RAM_base
.data :> SRAM
.bss：> SRAM
.sysmem：> SRAM
.stack：> SRAM
}

在 startup_ccs.c 中定义的矢量表链接到.intvecs 段：

#pragma DATA_SECTION (g_pfnVectors、".intvecs") 

我将感谢您对经验丰富的用户的深入了解。 


谢谢你

7 年多前

0 admin 7 年多前

TI__Guru**** 2044370 points

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尊敬的 Lukasz：

矢量表是可重定位的。这是通过在 M4处理器中对 VTABLE 寄存器进行编程来完成的。有关详细信息、请参阅数据表。如果您想了解如何完成、可以参阅引导加载程序的 BL_STARTUP_CCS.s 文件。下面是一个有关如何完成的片段。该文件可在<TivaWare_Installation/boot_loader. 中找到闪存控制器具有预取功能。它将一次预取256位。预取缓冲区允许使用适合预取缓冲区的线性代码或循环来保持120MHz CPU 速度的最大性能。因此、从性能角度来看、我不会看到闪存或 RAM 中的 VTABLE 之间有太大的差异、除非您尝试创建一个引导加载程序、您可能需要在其中擦除 VTABLE 所在的第一个闪存扇区。

ProcessorInit：.asmfunc
；
；；将代码映像从闪存复制到 SRAM。
；
MOV r0、#0x0000
MOV R1、#0x0000
MOVt R1、#0x2000
LDR R2、BSS_START
COPY_LOOP：
LDR r3、[r0]、#4
结构 R3、[R1]、#4
CMP R1、R2
BLT COPY_LOOP

；
；零填充.bss 段。
；
MOV r0、#0x0000
LDR R2、BSS_END
ZERO LOOP：
结构 R0、[R1]、#4
CMP R1、R2
BLT zero_loop

；
；；将矢量表指针设置为 SRAM 的开头。
；
movw r0、#(NVIC_vtable & 0xFFFF)
movt r0、#(NVIC_vtable >> 16)
MOV R1、#0x0000
MOVt R1、#0x2000
结构 R1、[r0]

基于 Arm 的微控制器（参考译文帖）

基于 Arm 的微控制器（参考译文帖）(Read Only)

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