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器件型号：TM4C1294KCPDT 问题 当 AINx EMF 噪声 通过 MCU 引脚安装的去耦电容器提高 SNR 时、EMAC0 PHY 停止 TXD'。 好 的事情是 RXD、然后接受最后一条命令-在 TXD 崩溃后停止！
ADC0 SNR 似乎 会使 PHY/USB0突然死亡 、并且 RXD 在发生 LWIP 路由错误之前保持响应。 MCU 引脚去耦 电容器(200pf)应降低 RS 阻抗 (AINx) 、但 鼓励攻击 TXD/USB0 计算机端点。 降低去耦电容值(100-51pf)使 PHY TXD 端口 从 典型和预期的 ADC0 SNR 崩溃停止。 即使 在 降低 AINx SNR 后 PHY 保持连接后、USB0端点的崩溃率低于60MHz、30MHz 时钟也更少。
怀疑 ADC0 SNR 有点高 、可能 通过 AHB 泄露到其他外设中？ 奇怪的是 、经过多个 EVM 测试 的 EVM 从未 通过 X11接头出现此问题、 多层 PCB 会以某种方式 降低 ADC0 SNR？ 同时 、将 MCU 引脚附近的(EN0Rx/Tx-N/P) 1000N 电容器降低至39n 确实 有所 改进、 但100N 没有改进。 奇怪 的是、最初从4.7uF 降低到0.22uF 的 PHY Bob 滤波电容器并未阻止 TXD 崩溃。
