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[参考译文] TMS570LC4357:TMS570LC43xx HDK:代码卡在_TI_auto_init 中

Guru**** 2035740 points
Other Parts Discussed in Thread: TMS570LC4357
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/arm-based-microcontrollers-group/arm-based-microcontrollers/f/arm-based-microcontrollers-forum/755133/tms570lc4357-tms570lc43xx-hdk-code-stuck-in-_ti_auto_init

器件型号:TMS570LC4357

您好!

我们正在使用 TMS570LC43xx HDK 并开发一个软件、以便使用 F021闪存库将数据加载到闪存中。 根据下面链接中提到的线程、我们将 F021库放置在 RAM 中。 我们在全局构造函数初始化期间观察数据条目异常(_TI_auto_init)。 如果不在 RAM 中放置 F021库、我们就不会发现此问题。

e2e.ti.com/.../1451194

您能告诉我们如何解决这个问题吗?

谢谢、

Kalyan

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    您好 Kalyan、

    链接不起作用。 您能为我们重新发布链接吗?

    TMS570LC4357有2个程序闪存组:Bank0和 Bank1。 我假设您的代码位于组0中。 如果要擦除 bank1并将数据编程到 bank1、则不必将 API 相关代码复制到 SRAM 并从 SRAM 执行它们。

    如果要将数据编程到 Bank0中的其他扇区、则必须将 F021 API 相关代码复制到 SRAM 并从 SRAM 执行代码。
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    您好、Wang、  

    感谢您的快速响应。 我们能够通过从 SRAM 执行闪存 API 函数来解决此问题。

    在每次擦除/编程 fapi 函数调用后、我们是否应该调用"Fapi_flushPipeline()"函数?

    谢谢、

    Kalyan

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    您好 Kalyan、

    最好调用此函数来刷新 FMC 管道缓冲器。 根据建议的程序流程、它不是必须执行的操作。