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[参考译文] TM4C1294NCPDT：内部 EEPROM 以循环方式保存数据

admin
Guru**** 2606725 points


请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/arm-based-microcontrollers-group/arm-based-microcontrollers/f/arm-based-microcontrollers-forum/753292/tm4c1294ncpdt-internal-eeprom-save-data-in-circular

器件型号：TM4C1294NCPDT

大家好、  

我对 使用内部 EEPROM 有疑问、我使用 TM4C1294评估套件进行测试。 我测试了 EEPROM 中的数据写入和读取 、结果正常 。 我使用 Tiva driverlib 进行操作。 在调试 模式下、在内存浏览器中可以看到输入的数据、这一点我不太清楚。 该 MCU 保存在哪个地址数据？ 我进入 EEPROM 地址0x400A.F000、但找不到 该地址周围的输入数据。

此外、我还不清楚如何实现页面循环、以便提高写入寿命。 那么、如果 有更多有关此芯片的内部 EEPROM 的文献或其他内容、您可以推荐 、还是 MCU 数据表以外的内容？  

此致

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    TI__Guru**** 2606725 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好！

     EEPROM 不是 CPU 地址中的存储器映射、因此您无法在调试器的存储器浏览器窗口中读取它们。  您必须使用 API 读取它们。

    请参阅以下有关 EEPROM 写入平衡和寿命的文章。

     该数据表还提供了 一个有关写入均衡的小示例说明。

    可以写入不同的字、这样任何或所有字的写入次数都可以超过500K 次
    当每个字的写入计数保持大致相同时。 例如、偏移0可以写入3次、
    然后、偏移1可被写入2次、偏移2被写入4次、然后偏移1被写入
    两次、然后再次写入偏移0。 因此、所有3个偏移在末尾都将有4个写入
    序列。 这种7次写入内的平衡可以最大限度地提高不同字的耐久性
    相同的元块中。