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[参考译文] MCU-PLUS-SDK-AM243X:向扇区写入闪存 API

Guru**** 2522770 points


请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/arm-based-microcontrollers-group/arm-based-microcontrollers/f/arm-based-microcontrollers-forum/1190593/mcu-plus-sdk-am243x-flash-api-write-to-a-sector

器件型号:MCU-PLUS-SDK-AM243X

您好!

我想使用闪存 API 来擦除和写入闪存扇区。 我尝试了 SDK ospi_flash_io 示例。 似乎我必须首先使用 Flash_eraseBlk 擦除一个块 、以便能够写入一个扇区。 我尝试在不擦除块的情况下运行示例、并且 Flash_write 返回失败标志、因为发生了特定的超时。 这种行为是否有任何解释?

提前感谢。

最好

贝尔

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    您好、Belal、

    请注意、由于周末的原因、回复会延迟。 主题专家将很快答复。

    谢谢

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    您好 

    我为我尝试了以下更改、这很有效。 我已手动确保闪存扇区已处于擦除状态。

    /cfs-file/__key/communityserver-discussions-components-files/908/flashWriteDiff.patch

    [引用 userid="523772" URL"~/support/microcontrollers/arm-based-microcontrollers-group/arm-based-microcontrollers/f/arm-based-microcontrollers-forum/1190593/mcu-plus-sdk-am243x-flash-api-write-to-a-sector "]为了 能够写入扇区、我必须首先使用 Flash_eraseBlk 擦除块。

    是的、在尝试对扇区进行编程之前、闪存必须始终处于已擦除状态。 如果情况并非如此、则闪存写入将失败。

    在本例中、我手动确保闪存扇区处于已擦除状态(所有0xFFs)、然后尝试对扇区进行编程。

    此致、
    Aakash

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    Aakash、您好!

    那么、您可以在擦除某个扇区后写入该扇区、而不擦除整个块? 奇怪、因为它对我不起作用。

    我想我们不必擦除整个块即可写入扇区、而事先擦除该扇区就足够了。

    最好

    贝尔

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    您好、Belal、

    根据闪存文档、可以选择将块配置为256KB、将扇区配置为4KB、在本例中、我们仅启用了统一扇区。 因此、闪存块擦除是此处使用的最佳选项。

    如果您打算使用4KB 的扇区擦除。 您需要通过更改此处提到的功能来启用混合模式-

    根据配置、您需要擦除4KB 扇区。

    希望这对您有所帮助。

    此致、
    Aakash