您好!
我想使用闪存 API 来擦除和写入闪存扇区。 我尝试了 SDK ospi_flash_io 示例。 似乎我必须首先使用 Flash_eraseBlk 擦除一个块 、以便能够写入一个扇区。 我尝试在不擦除块的情况下运行示例、并且 Flash_write 返回失败标志、因为发生了特定的超时。 这种行为是否有任何解释?
提前感谢。
最好
贝尔
This thread has been locked.
If you have a related question, please click the "Ask a related question" button in the top right corner. The newly created question will be automatically linked to this question.
您好!
我想使用闪存 API 来擦除和写入闪存扇区。 我尝试了 SDK ospi_flash_io 示例。 似乎我必须首先使用 Flash_eraseBlk 擦除一个块 、以便能够写入一个扇区。 我尝试在不擦除块的情况下运行示例、并且 Flash_write 返回失败标志、因为发生了特定的超时。 这种行为是否有任何解释?
提前感谢。
最好
贝尔
您好 、Belal Elmorsy、
我为我尝试了以下更改、这很有效。 我已手动确保闪存扇区已处于擦除状态。
/cfs-file/__key/communityserver-discussions-components-files/908/flashWriteDiff.patch
[引用 userid="523772" URL"~/support/microcontrollers/arm-based-microcontrollers-group/arm-based-microcontrollers/f/arm-based-microcontrollers-forum/1190593/mcu-plus-sdk-am243x-flash-api-write-to-a-sector "]为了 能够写入扇区、我必须首先使用 Flash_eraseBlk 擦除块。是的、在尝试对扇区进行编程之前、闪存必须始终处于已擦除状态。 如果情况并非如此、则闪存写入将失败。
在本例中、我手动确保闪存扇区处于已擦除状态(所有0xFFs)、然后尝试对扇区进行编程。
此致、
Aakash