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[参考译文] AM2431:外部 CMOS 时钟输入的旁路模式下的 MCU_OSC0_Xn 要求

Guru**** 1110220 points
Other Parts Discussed in Thread: CDCLVC1310
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/arm-based-microcontrollers-group/arm-based-microcontrollers/f/arm-based-microcontrollers-forum/1190632/am2431-mcu_osc0_xn-requirements-in-bypass-mode-for-external-cmos-clock-input

器件型号:AM2431
主题中讨论的其他器件:CDCLVC1310

使用晶振时、MCU_OSC0_Xn 输入具有所需的参数。 (表7-17和表7-18)
但我们不会指定 LVCMOS 输入的要求。

可以设置 CTRLMMR_MCU_HFOSC0_CTRL (TRM)、以便绕过晶体电路。
这允许我们将 LVCMOS 数字信号用于时钟。

但 图7-21 (数据表)相关部分仅提到我们需要"1.8V LVCMOS 时钟源"
有哪些要求?

频率:xxMHz±yy[ppm]所需的频率和允许的最大变化是多少?
电压:V_IH = xx // V_IL = yy 在旁路模式下、我们需要注意的最大/最小输入电压范围是多少?
占空比:时钟源的占空比要求是多少?
抖动时钟源的抖动要求(rms 或 pk-pk)是多少?
CL: 在旁路模式下、MCU_OSC0_XI 引脚的输入电容是多少?
TR/TF:时钟的上升/下降时间要求是什么?

等等...

我们可以提供这些要求吗?

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    Darren、您好!

    当为 MCU_OSC0_XI 提供 LVCMOS 时钟源并将 MCU_OSC0_XO 接地时、 高频振荡器将以"过驱"模式运行。   无论使用 晶振/有源模式还是 LVCMOS/旁路模式、器件计时要求都保持不变。 25MHz 是一项硬性要求、因为该信号用作推导内部 MCU_PLL0时钟和其他关键下游时钟信号的源。

    • 频率:典型值: 25MHz  注意:器件运行需要25MHz。
    • VIL/VIH 电压:(在数据表中)
    • 占空比:最小值: 45%、典型值:50%、最大值: 55%
    • 晶体负载电容:最小值:6pF;最大值:12pF
    • XTAL_XI 输入电容:(在数据表中)
    • 最长上升/下降时间(10->90%和90->10%)=  8ns

    我们将在 下一个数据表版本中添加任何缺失的振荡器参数。

    我希望这 有助消除 一些混淆。 请参阅 TMDS243GPEVM 评估板  、该评估板实现了 CDCLVC1310时钟 IC 并提供了一个电阻器网络、用于在25MHz 晶体信号和25MHz CDCLVC1310信号之间切换。

    此致、

    Zackary Fleenor

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    您好、Zackary、

    感谢您的评论、并将关注数据表更新。

    谢谢!

    此致、
    Darren

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    我们不定义 输出时钟抖动、因此请忽略上面提供的值 Zach。

    提供的负载电容值 Zach 定义了振荡器支持的有效晶体电路负载、这与 LVCMOS 用例无关。

    此致、
    Paul

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    尊敬的 Paul:

    我了解表7-18中的 Zach 共享电容用于晶体输入(非旁路模式)-因此我在这里忽略了。

    但是、关于处于"旁路"模式的 XI 引脚的最小/最大输入电容为6pF~12pF 的注释与我预期的值差不多。
    我是否理解6pF~12pF 最小/最大值是"旁路"模式下的 XI 输入电容、以使用外部 LVCMOS 时钟源?

    此致、
    Darren

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    否 6pF 至12pF 的电容范围定义了振荡器支持的晶体电路的电容负载范围、这与 LVCMOS 用例完全无关。 有关晶体电路负载电容的说明、请参阅 MCU_OSC0内部振荡器时钟源部分中的负载电容说明。

     XI 引脚的最大输入电容为1.44pF。

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    尊敬的 Paul:

    非常感谢! 这更有意义... 12pF 稍微位于高侧。