[参考译文] TM4C1294NCPDT：如何辨别冷重启还是热重启的区别？

[引用用户="David Chance ]]我认为理想的解决方案将是一个寄存器、该寄存器总是从冷启动中出现已知状态、但其内容不会在热重启中发生变化 复位原因(RESC)寄存器是否 可以通过 TivaWare SysCtlResetCauseGet ()和 SysResetCaCtlClear ()函数访问、帮助？

是否有良好的内存位置，我可以在重新引导之间传递一些信息？ 以便软件可以继续执行在软件复位之前启动的一些任务

您之前对 EEPROM 生命周期有一些疑问吗？ EEPROM 将是您的最佳选择。 您需要在应用程序中执行冷重启的频率如何？

EEPROM 的写入周期为500k。

[报价用户="David Chance ]]是否有一个良好的内存位置，我可以在重新启动之间传递一些信息？ 以便软件可以继续执行在软件复位前启动的一些任务

如果您没有断电、只需保留 RAM 中不会被覆盖的区域。

如果您希望在断电期间保留信息、尤其是在不处于受控点的情况下、则添加外部 FRAM。 即使是外部 EE 也不够快、内部 "EE"的时序也很糟糕。

Robert

当我显示此勘误表时、我感到很紧张

www.ti.com/.../spmz850g.pdf

请参阅我之前的问题 e2e.ti.com/.../2435253

也许我们可以从 TI 获得一些澄清？

[报价用户="David Chance "]由于成本原因，我试图避免使用外部部件。

实际上、我怀疑成本会更高。 您必须添加保持电源才能使用 EE。 考虑到 TI 器件上仿真 EE 的极端情况下的时序、这并不是一个不值得考虑的问题。

[引用用户="David Chance "]如果 EEPROM 确实可以持续500K r/w，我将使用它

有趣的是、如果您获得更多的写入、解决问题的方法就会变得简单得多。

[引用 user="David Chance "]顺便说一下、如何在 CCS 中保留 RAM 区域？

不知道、请阅读链接并找到编译器的文档。  通常有一组控制存储器映射的选项。

Robert

[引用 USER="David Chance ]EEPROM 因中断而损坏时会发生什么情况？ 它会变得无用吗？ 或者我可以简单地对其进行重新编程吗？

[引用用户="Charles Tsaa"]。 但还请注意、如果在写入外部器件时发生断电或复位、则数据可能会丢失、损坏或不完整。[/报价]

这就是建议使用 FRAM 的原因。 写入速度的数量级增加使得防止这种可能发生的情况变得容易得多。

Robert

[引述 USER="David Chance ]btw、如何在 CCS 中保留 RAM 区域？ 它在未来的应用中可能会很有用[/引用]

请参阅 TI ARM 编译器用户指南中的#pragma SET_DATA_SECTION 用法。 定义段后、如果需要、可以在链接器命令文件中将该段映射到特定地址的 RAM。  

[引用 user="David Chance "]感谢有关 EE 损坏的警告，在本例中，我将考虑 FRAM

这里的大问题是写入期间的中断、尤其是断电。 在任何情况下都值得避免。 通常、这会导致本地损坏(或不会保持编程状态的条目)、但由于 EE 编程是一个很长的状态过程、因此如果  在写入期间断电、有时会使状态机发生混乱。 镜像和校验和仍然可以减少 EE 的错误

对于外部 FRAM、该过程类似于

• 变化
  1. 检查您是否有足够的写入功率
  2. 取消保护内存
  3. 写入
  4. 保护内存

FRAM 具有无限的写入周期、因此您可以写入每个更改、并且速度足够快、无需检查写入完成情况。 由于采用后一种方法、电源只需足够长的时间即可保持足够长的时间来执行写保护、这可能是我们几个人的问题。

EE 的过程是这样的

• 累加变化
• 断电时(或每 N 秒)
  • 取消保护内存
  • 写入
  • 等待写入完成
  • 保护内存

EES 的写入周期有限、因此您无法频繁写入。 此外、由于写入周期很长、您必须添加代码以等待写入完成、并且电源必须保持足够长的时间才能完成写保护。 这大大增加了电源的成本。 即使是外部 EE 也需要5ms 的最坏情况写入时间、TI 仿真的标称值为30mS、最坏情况下的高使用率为1.8s (是秒)。 TI 不会为新鲜使用提供最坏的情况、您可以计划双倍或三倍额定电压、希望您不会磨损、但任何真正安全的设计都必须为每次写入的保压计划1.8秒。

Robert

感谢您的建议！