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[参考译文] CCS/TM4C123GH6PM：闪存中的动态存储器分配

admin
Guru**** 2468610 points
Other Parts Discussed in Thread: TM4C123GH6PM

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/arm-based-microcontrollers-group/arm-based-microcontrollers/f/arm-based-microcontrollers-forum/676726/ccs-tm4c123gh6pm-dynamic-memory-allocation-in-flash

器件型号：TM4C123GH6PM

工具/软件：Code Composer Studio

您好！

TM4C123GH6PM 具有256KB 闪存和32KB SRAM、我之所以提到这一点是因为我正在使用可能不适合 RAM 的大型数据集。

我知道它可以使用"section"来完成、但矩阵在代码中的任何位置都是动态声明的、 是否有方法可以将数据存储在闪存中并在需要时访问代码中的数据？

谢谢、

Nihit

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    TI__Guru**** 2468610 points
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    如果矩阵在运行时更改它们的值、则不能将它们存储在闪存中。 堆和堆栈需要位于 SRAM 中。
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    TI__Guru**** 2468610 points
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    这些矩阵将为只读、您能简要介绍一下如何将这些矩阵存储在闪存中吗？
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    TI__Guru**** 2468610 points
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    请参阅 www.ti.com/.../spnu151r.pdf 中 C 编译器用户指南中的#pragma SET_DATA_SECTION 用法。
    定义段名后、即可将段映射到链接器文件中的 RAM。
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    TI__Guru**** 2468610 points
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    如您所述、当部署时、MCU 的闪存存储器将同时放置"高&慢需求"。

    不是具有大幅增加 SRAM 的器件、还是您当前选择的器件、而是具有"外部" SRAM 的增强器件、更好地满足您的要求？
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    TI__Guru**** 2468610 points
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    我不想通过连接外部 SRAM 来花费更多资源、而是更喜欢使用闪存、因为我的应用程序是只读的、Charles 我将查看文档并返回给您。
    非常感谢大家的帮助。
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    TI__Guru**** 2468610 points
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    如果您的是"一次性或(非常)几次闪存加载"、并且您的应用能够承受"相当长的持续时间"-这是相当复杂的多部件闪存编程过程所要求的-那么我(可能)同意。

    小型- SPI、四位访问-闪存存在-完全符合此类要求-也许是出于(好的)原因...
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    TI__Guru**** 2468610 points
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    这种方法不起作用、要将任何闪存值更改为1位、需要擦除1KB、然后对闪存进行编程、以将位设置为零。 但是、在闪存老化之前、可以擦除多少次是有限制的。 TM4C123GH6PM 数据表的第531页有一节关于闪存编程的内容、我知道如果将来有人在同一问题上需要帮助、我应该在这里提到。

    最棒的
    Nihit
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    TI__Guru**** 2468610 points
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    [引用 user="nihit Bhavsar"]此方法不起作用、要将任何闪存值更改为1位、需要擦除1KB、然后对闪存进行编程、以将位设置为零。 但是、在闪存老化之前、可以擦除多少次是有限制的。[/引述]

    确实！    这就是为什么-这里有一  个-建议"使用高级、"专用"的外部串行闪存-这证明了它具有高度优势 (即、速度更快、更易于使用、并且更加稳健！)

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    TI__Guru**** 2468610 points
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    目的是在廉价的独立器件上实现这种高带宽算法。
    感谢大家的帮助和支持！
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    TI__Guru**** 2468610 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    编辑：高带宽、高内存