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[参考译文] TM4C129ENCPDT:SDRAM 兼容性

Guru**** 2620915 points
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/arm-based-microcontrollers-group/arm-based-microcontrollers/f/arm-based-microcontrollers-forum/786597/tm4c129encpdt-sdram-compatibility

器件型号:TM4C129ENCPDT

在新的一批生产中、我们看到 Alliance Memory 的 SDRAM AS4C32M16SB-7TIN 在 TM4C129处理器上出现故障。 之前我们使用过 Micron 的 MT48LC32M16A2TG、但该器件现已停产、根据 DigiKey 的说法、直接替换应是 Alliance 的上述器件。

该器件仅在 SDRAM 访问频繁时发生故障、因此简单测试不会显示故障。 我们已经顺利地运行 PCB 布局了很长一段时间。 处理器速度为120MHz、并使用标准 Tivaware 设置运行。

我们发现了一些旧的 Micron SDRAM、电路板又重新工作了。

我们现在将尝试 tidu893a.pdf 和 tidres6.pdf BOM 中提到的 IS42S16320D。

由于需要大量工作来确定差异的根本原因,是否有人看到类似的行为或给出了正确的解释?

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    我在这个论坛上没有看到任何其他人看到这个问题的帖子、但不知道其他人是否尝试使用 Alliance Memory 的 AS4C32M16SB。
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    运行 EPI 驱动强度设置两次似乎解决了使用2个新 SDRAM 的问题。 代码更改受 C:\ti\TivaWare_C_Series-2.1.4.178\examples\peripherals\LCD\SDRAM.c 中的代码示例的启发、并具有注释:

    //变通办法-再次调用这些 API 以确保正确
    //选择驱动强度。

    此行为是否记录在勘误表中或其它任何地方?
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    除了对寄存器结果进行双倍编程之外、EPI 设置的 Tivaware 执行最终会设置所有驱动位、即2mA、4mA 和8mA、这似乎很奇怪、 如4mA 驱动器说明(GPIODR4)中的用户指南所述、"置位 GPIODR2寄存器或 GPIODR8寄存器中的位会清零相应的4mA 使能位。 此更改在下一个时钟周期生效。' 请参阅随附的 CCS 屏幕转储。 它只应是应设置的驱动位之一、而其他位应清除。 在屏幕截图中、它是用于 EPI 的端口 A 位6和位7。

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    是否有其他人看到了这种行为或找到了解释我们所看到的内容的文档?