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[参考译文] CCS/TMS570LS1224：操作 TMS570读取和写入片上闪存函数发现读取和写入？不一致

admin
Guru**** 2620925 points
请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/arm-based-microcontrollers-group/arm-based-microcontrollers/f/arm-based-microcontrollers-forum/783448/ccs-tms570ls1224-operation-tms570-read-and-write-on-chip-flash-function-found-inconsistency-in-reading-and-writing

器件型号：TMS570LS1224

工具/软件：Code Composer Studio

如下图所示、我向地址0x20000写入1 (总共1024)、但所有这些都是 由 flashAPI 函数读取的0。 问题是什么？

#define FLASH_buffer_size 1024
静态 uint8_t data[flash_buffer_size]=｛0U｝；
静态 uint8_t redata[flash_buffer_size]=｛0U｝；

uint32_t addr = 0x20000；

对于(I = 0U；I < FLASH_buffer_size；I++)
｛
     DATA[i]= 1；
｝

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    TI__Guru**** 2620925 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    您好 BJ、

    编程、擦除、空白检查的所有函数都必须从执行代码的组之外的组中调用。 如果编程或擦除 TMS470LS1224组0中的任何扇区、则这些例程必须位于 RAM 中。

    有关将闪存 API 相关代码复制到 RAM 的信息、请参阅 TI 引导加载程序。
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    TI__Guru**** 2620925 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、QJ Wang：

    在当前程序中、我已将相关的闪存函数复制到 RAM 中、如下所示、现在我可以验证写入是否正确、但读数不正确。

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    TI__Guru**** 2620925 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    您好 BJ、

    您能否使用 CCS 存储器浏览器检查闪存是否已正确编程？ 我认为数据不会写入闪存。
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    TI__Guru**** 2620925 points
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    您好 BJ、

    请使用 CCS 存储器浏览器检查数据、以确保闪存编程成功。 如果将数据写入闪存、则函数中的回读数据将与原始数据不匹配。