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大家好、
我们目前正在使用 MSPM0L1306SDYY。
在数据表中、对于 VDD 与 GND、建议使用10uF 电容、对于 VCORE 与 GND、建议使用470nF 电容。
我们希望减小这些电容、因为我们的设计空间很小。
在任何情况下、较小的电容足以满足要求吗？ 例如：没有驱动高负载等的数字输出？
当 VDD 由高动态线性稳压器供电时、VDD 电容是否可以减小？
减小 VCORE 电容是否会使内部控制器不可安装？
此致
塞缪尔
您好、Samuel、
10uF VDD 电容是保守的。 是的、您可以 为 VDD 使用较小的(最小建议值= 4.7uF)电容器、只需确保在提交到该值之前验证它是否有效。
Vcore 470nF 是必需的、应为低 ESR、容差至少为20%或更高。 否则、您将面临 Vcore 稳压器无法提供适当稳压的风险、这会影响内核的运行。
