Other Parts Discussed in Thread: TM4C123GH6PM, EK-TM4C123GXL
主题中讨论的其他器件： TM4C123、 EK-TM4C123GXL
您好！
我使用过去使用的成熟内核 TM4C123GH6PM 设计构建了一个新电路板。 我将其采用非常裸的配置(基本上是板上具有几个旁路电容器的芯片)、从工作台电源施加3.3V 电压、芯片就会死机。 内部短路。 我移除了芯片、再次检查了电路板、焊接了一个新芯片、芯片立即就死了。 在这两种情况下、我都仔细检查了电路板上是否存在焊料短路、然后再接通电源。
我对 STM32器件做了同样的操作(板载芯片、根本没有旁路电容器、从工作台电源供电)、一切都很好。 对于第三个芯片、我改变了策略、并完成了我过去通常所做的工作。 我焊接并测试了电路板的3.3V 电压稳压器部分、焊接了所有电容器、包括 LDO 电容器、焊接了 MPU、当我向稳压器施加5V 电压时、电路工作正常。 在施加电源之前、使用 DVM 对未供电板的3.v 和接地线迹进行测试时发现存在断路。 加电后、它是一个死短路。
很清楚、 我知道为什么在电路中使用电容器、它们的功能是什么、为什么应该使用电容器等 它们位于我的电路中。 我已经做了将近40年了、所以我的行动是基于经验的一个有意识的决定、而不是因为我没有更好的了解。 我把 STM 部件拿出来了、除了板上的芯片、把它连接到工作台电源上、一切都很好。 在我知道它可以工作后、我进入并添加所有其余部分。 我从未立即有过一个裸片。 我决定在 TI 芯片上尝试一下、它会立即去世。
所以，我的问题是：有没有人曾经看到过这样的东西，更重要的是，知道具体的原因是什么？
一个区别是 STM 部件没有片上 LDO。 我现在的最佳猜测是、由于我没有绕过 LDO 稳压器的0.1 μ F、1 μ F 和2.2 μ F 三个电容、内部 LDO 稳压器不稳定、输出过高的电压并导致芯片死亡。 但这只是一个猜测。 我也没有使用复位上拉电阻器、但我没有充分的理由来导致芯片短路。
有什么想法吗？ 我特别希望听到任何 TI 人的声音。
