This thread has been locked.

If you have a related question, please click the "Ask a related question" button in the top right corner. The newly created question will be automatically linked to this question.

[参考译文] TMS570LC4357:TMS570LC4357的 EEPROM 的寿命

Guru**** 2464110 points
Other Parts Discussed in Thread: TMS570LC4357

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/arm-based-microcontrollers-group/arm-based-microcontrollers/f/arm-based-microcontrollers-forum/880693/tms570lc4357-lifetime-of-the-eeprom-of-tms570lc4357

器件型号:TMS570LC4357

尊敬的经理:

我使用 TMS570LC4357开发电机控制器。

我已经阅读过此主题 https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/hercules/f/312/p/646227/2377225

但我仍然对 EEPROM 和 FEE 函数的寿命有一些疑问。

从 TMS570LC4357数据表中可以看出、写入/擦除周期的最大值为100、000。

Q1)

如果我将 Block1的大小配置为256字节、并且只对8字节存储器地址进行写入/擦除、那么它对存储器寿命有何影响?

例如、如果我配置了如下收费模块:

 然后、如果我使用如下 FEE 写入函数:

uint8 temp_front[8]={0、};

TI_FEE 写入异步(0x1、&temp_front[0]);

因此、存储器寿命中只有8个字节会受到影响吗?

这意味着使用寿命的最大值可以是 32 * 100、000 FEE Block1?

Q2)

如果我按顺序对 FEE Block1、Block2、Block3和 Block 4使用写入/擦除、存储器的寿命是否会逐块影响?

它可以是4 * 100、000吗?  

此致

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    Seungyong、您好、

    1.收费只能按行业分类。 FEE 闪存组被分成两个或者更多虚拟扇区。 每个虚拟扇区都进一步划分为多个数据块(示例中为4个)。 闪存 EEPROM 仿真至少需要两个虚拟扇区。

    数据将写入活动虚拟扇区中的第一个空位置。 如果当前虚拟扇区中没有足够的空间来更新数据、它将切换到下一个虚拟扇区、并将所有有效数据从当前虚拟扇区中的其他数据块复制到新的数据块。 复制所有有效数据后、当前虚拟扇区标记为擦除就绪、新虚拟扇区标记为活动虚拟扇区。 任何新数据现在都将写入新的活动虚拟扇区、且标记为可擦除的虚拟扇区将在后台擦除。

    尽管数据大小小于块大小、但会写入整个数据块。 较小的数据大小不会影响擦除次数。 擦除次数取决于块的数量和块的大小。  

    如果将块大小减小到8个字节(数据大小仅为8个字节)、则数字擦除将减小。

    2.使用寿命为100K 写入/擦除周期。 块越小或块越少、擦除 FEE 扇区就越少、闪存寿命就越长。