[参考译文] TMS570LS3137：仅当整个闪存被擦除时、ECC 组7上的 Uniflash 验证错误

如果我使用 AutoECC 选项、我没问题、ECC 组7已正确编程、但 ECC 内容不同。 如果我们在程序前设置黑色复选选项、则第一次失败、但第二次成功。 我们尝试使用 ELF 文件和二进制文件。 对于我们来说、UniFlash 存在第一次对组7进行编程的错误。

谢谢

Davide

您好、Davide、

编程闪存空间来自        0x0000_0000至0x00FF_FFFF

程序闪存的 ECC 空间为 0xF04_0000至 0xF04F_FFFF

EEPROM (组7)为   ：0xF0200000 ~ 0xF03FFFFF

EEPROM (组7) ECC： 0xF0100000 ~ 0xF013FFFF

我的理解是、您将代码加载到编程闪存、而不是 EEPROM (组7)。

您好报价、

否、否则它将永远不起作用。  在我的链接器文件的以下部分：

存储器
｛
/*闪存3Mib*/
引导程序(X)：origin=0x00000000 length=0x00000020
代码1_FLASH (RX)：origin=0x00000020 length=0x00047FE0 vfill=0xFFFFFFFF
代码2_FLASH (RX)：origin=0x00048000 length=0x00138000 vfill=0xFFFFFFFF

/* ECC 区域*/
ecc_vectors (R)：origin=0xF0400000 length=0x000004 ecc=｛input_range=vectors、algorithm、fill=true｝
ECC_CODE1_FLASH (R)：origin=0xF0400004 length=0x008FFC ECC=｛input_range=CODE1_FLASH、算法=算法、fill = true｝
ECC_CODE2_FLASH (R)：origin=0xF0409000 length=0x027000 ECC=｛input_range=CODE2_FLASH、算法=算法、fill = true｝

…………

问题是在 TMS570LS3137为 Virgin 之后(整个闪存填充为0xff)、UniFlash 写入和检查 ECC_CODE1_FLASH 的唯一时间。

所有后续编程都成功。 这很奇怪。

Davide

您好、 Davide、

如果使用链接器 cmd 来生成 ECC、则在将代码加载到闪存时：

1. 必须取消选中自动 ECC 生成

2. 在必须取消选中程序加载之前执行空白检查

 3.闪存验证设置必须为“无”

您好 QJ、

1. 必须  取消选中"Auto ECC Generation (自动 ECC 生成)   "-->" OK (确定)"

2. 在 必须取消选中程序加载之前执行空白检查  -->确定

 3.闪存验证设置 必须 为“无”  -->否， 设置为“验证”。 为什么我无法验证、如何确保正确写入闪存？

我重复一遍、验证仅在  TMS570LS3137 是  Virgin 之后的第一次失败 (整个闪存用0xff 填充)。

谢谢

Davide