This thread has been locked.

If you have a related question, please click the "Ask a related question" button in the top right corner. The newly created question will be automatically linked to this question.

[参考译文] AM2634-Q1:微控制器的热耗散和内部温度

Guru**** 2756805 points

Other Parts Discussed in Thread: TMDSCNCD263, AM2634

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/arm-based-microcontrollers-group/arm-based-microcontrollers/f/arm-based-microcontrollers-forum/1227278/am2634-q1-heat-dissipation-and-internal-temperature-of-microcontroller

器件型号:AM2634-Q1
主题中讨论的其他器件:TMDSCNCD263AM2634

我们发现、在相同的环境和运行条件下(加载了相同的 FW)、SW 通过  PCB 上安装的组件之间的内部温度之间存在约10°C 的差异(在所有4个内部传感器上都约为52°C)。 和安装在 其 EVB TMDSCNCD263上的元件(42°C、Tamb=20°C)。 我们的 PCB 和 EVB 区域相似、但外形不同(我们的 PCB 为矩形、短边约为5cm、uC 大致在 PCB 的中心)。

检查与组件电源层的尺寸和连接相关的层叠和布局、并且在正确调试 电路板后排除总线争用事件和其他可能使 Sitara 过载的设施、以上所有原因似乎均未给出解释。

因此、我想问是否有关于内部芯片审查和/或激活功能的解释、因为这些组件( 也是专业器件型号) 来自不同的生产批次。

具体而言、 查看组件上方报告的标记、它们如下:

  • EVB:XAM2634B、OLFHMZCZQ、批次21ACLSW G1、产品代码548 ZCZ
  • 我们的 PCB:XAM2634B、OLFHMZCZ、批次23C9YQW G1、产品代码548 ZCZ

查看元件版本和特性代码、发现两个元件似乎相同、不过、如前所述、我们发现上述的内部温差; 令人好奇的是、尽管有2个内核在处理、目前有2个内核几乎处于空闲状态、但4个传感器的温度也非常相似(相差1-3度)、至少在稳定状态下是如此; 但这当然可能是由于一个特别导热的中间层、它有助于硅两端的温度均衡...

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    Ugo 您好、

    高性能 MCU (如 AM2634)的散热可归结为 PCB 中的多个因素。  第一个参数是将热量从 MCU 传递到电路板其余部分的效率、第二个参数是电路板其余部分作为散热器将热量散发到周围环境的程度。

    热量通过散热过孔从 MCU 传递出去、对于 AM2634、散热过孔分为两个、即封装中心下方的接地过孔。  在中央接地区域放置的 GND 过孔越多、这些过孔的直径越大、帮助将热量从封装传递到 PCB 的铜越多。

    一旦热量向下传递到 PCB、就会转移到接地层、作为散热器、将热量从 PCB 散发到环境中。  接地平面在 MCU 附近的填充度越高、接地平面上的热量散发得越好。  而且接地平面越大、并且那里的平面越多(在某种程度上)、电路板作为散热器的作用就越好。

    TMDSCNCD263在每个 BGA 引脚上使用一个18mil OD、8mil ID 过孔、使过孔与接地引脚的比率为1:1、在将热量从 MCU 传输到接地层方面非常高效。  TMDSCNCD263还有一个10层 PCB、具有4个接地层(第2层、第4层、第7层和第9层)、这些层在 MCU 附近进行极小的切碎、最大限度地提高了 TMDSCNCD263的辐射性能。

    您能否将 PCB 设计与 TMDSCNCD263进行比较、说明 MCU 下方的过孔接地引脚比、PCB 层和接地层数量以及接地层在 MCU 附近的切碎情况?  如果其中任何一个损耗降低、我认为定制 PCB 上的热耗散会较差、从而导致您看到的温度升高。

    谢谢。
    Mike