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[参考译文] RM46L852:晶体的电容值出现故障或误解

Guru**** 2387080 points
Other Parts Discussed in Thread: LAUNCHXL2-RM46, TMDXRM46HDK
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/arm-based-microcontrollers-group/arm-based-microcontrollers/f/arm-based-microcontrollers-forum/1221369/rm46l852-bug-or-misinterpretation-in-the-value-of-the-capacitors-for-the-crystal

器件型号:RM46L852
主题中讨论的其他器件:LAUNCHXL2-RM46TMDXRM46HDK

大家好、我叫 Francisco、是另一家工业和技术公司 R+D+I 部门的工程师。

我想报告一下 LAUNCHXL2-RM46和 TMDXRM46HDK 开发套件晶振的电容值存在缺陷或错误解释。 在 LAUNCHXL2-RM46的钻臂中出现 ABLS-16.000MHZ-B4-T 晶体、其制造商建议使用18pF 的电容器、但该套件的德州设计人员使用33pF 的电容器。 这是什么原因? 是虫子吗?

另一方面、在 TMDXRM46HDK 的钻臂中 出现了7A-16.000MAAJ-T 晶振、其制造商建议使用18pF 的电容器、但该套件的德州设计人员使用10pF 的电容器。 这是什么原因? 是虫子吗?

我曾想过使用 AA-16.000MALE-T 晶体(专用于汽车电子应用的晶体)和其制造商建议的电容值、换句话说、12pF。 是正确的吗?

此致、

Francisco。

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    Unknown 说:
    原因是什么? 是错误吗?

    C1=C2=(CLOAD–2pF)* 2=(18-2)* 2=32pF、其中2pF 是 振荡器电路中的杂散电容。 杂散电容是线迹长度、PCB 结构和微控制器引脚设计的函数。 CLOAD 是 制造商指定的晶体负载电容。

    它是 HDK 上的一个错误。

    Unknown 说:
    12 pF. 是否正确?

    如果 CLOAD = 12pF、则 C1=C2=(12-2)* 2=20pF、并假设杂散电容为2pF。

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    尊敬的 QJ Wang:

    我需要您更具解释性。

    首先、我需要您向我解释一下、您用于计算分配给晶体的电容器的公式来自何处、并且基于哪些要求必须考虑进去。

    其次、用于 TMDXRM46HDK 开发的电容器的值不符合您告诉我的公式。 为什么?

    此致、

    Francisco。

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    首先,我需要向我解释一下您用于计算分配给晶体的电容器的公式来自何处,并基于哪些要求必须考虑。

    https://www.ti.com/lit/an/swra372c/swra372c.pdf?ts=1683004128123

    [报价 userid="510989" url="~/support/microcontrollers/arm-based-microcontrollers-group/arm-based-microcontrollers/f/arm-based-microcontrollers-forum/1221369/rm46l852-bug-or-misinterpretation-in-the-value-of-the-capacitors-for-the-crystal/4611628 #4611628"]其次,用于 TMDXRM46HDK 开发的电容器值不符合您告诉我的公式。 为什么?

    它是 HDK 上的一个错误。 如果实际电容 C1*C2/(C1+C2)过高,晶体振荡速度会更慢。 如果实际电容太低、则振荡速度会更快。

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    您好、QJ Wang

    感谢您的答复。 感谢你给我提供的文件,我已经理解这方面。

    此致、

    Francisco。